Устройство и принцип действия биполярного (бездрейфового) транзистора.

С общей базой.

Если сделаем разрыв на эмиттере:

.

Концентрация основных носителей в области эмиттера больше концентрации носителей в базе, поэтому рекомбинация дырок из эмиттера с электронами базы происходит в области базы.

Коллекторный переход закрыт для основных носителей базы и открыт для не основных носителей. Образовавшаяся составляющая тока называется током коллекторного перехода . Эту составляющую можно измерить при разорванной эмиттерной цепи. Учитывая, что дырок больше чем электронов и то, что ширина базы очень мала, можно сделать вывод, что большинство дырок, не успевшие рекомбинировать с электронами базы, втягиваются его мощным полем в коллектор, увеличивая ток коллектора. Коэффициент называется коэффициентом передачи тока в схеме с общей базой: | U_бк=const. показывает какая часть эмиттерного тока проходит в коллектор. можно изменить, усиливая или ослабляя p>n, изменяя ширину базы и, изменяя площадь коллекторного перехода по сравнению с площадью эмиттера.

Дата добавления: 2015-07-15