Читайте также:
|
|
. Рассмотрим выходную характеристику при Iб=0.
так как Iб=0, то по первому закону Кирхгофа IК= IЭ.
Если Iб отличен от нуля, то:
При Uэк >0 и разорванной цепи базы, начальный ток количественного перехода Iко понижает заряд базы, что вызывает поток дырок через эмиттерный переход. Этот поток делится на 2 составляющие: 1) αIэ транзитом проходит в коллектор, а меньшая составляющая (1-α)Iэ рекомбинируется с электронами базы. Первая составляющая не вызывает изменения заряда базы, так как сколько дырок приходит, столько же и уходит; 2) вторая составляющая увеличивает заряд базы, так как после рекомбинации электронов базы с дырками эмиттера в базе остаются некомпенсированный положительные ионы. Состояние динамического равновесия устанавливается тогда, когда действие Iко уравновешивается действием (1-α)Iэ, в соотношении (1), которое при Iб=0 и Iк=Iэ принимает вид (2), где Iко’ – начальный ток коллектора в схеме с ОЭ. Таким образом, выходная характеристика транзистора при Iб=0 повторяет как бы обратную ветвь ВАХ коллекторного перехода, ординаты которой увеличиваются в раз.
При Iб отличного от нуля условие динамического равновесия зарядов в базе принимает вид (3), которое после подстановки (4) и некоторых преобразований записывается как (5), здесь - коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ. При уменьшении Uэк ток коллектора уменьшается сначала незначительно, а при Uэк приблизительно равном Uэб резко падает, поясним это:
по второму закону Кирхгофа:
Uэб + Uбк = Uэк => Uбк = Uэк- Uэб
Пока Uбк>0, т.е. Uэк>Uбк до тех пор поле коллектора перехода является ускоряющим для неосновных носителей, и транзистор функционирует нормально. Как только это поле меняет знак (Uэк<Uэб) нарушается функционирование транзистора, и ток резко падает.
При Uэк=0 в коллекторной цепи в отрицательном направлении протекает ток ≈Iб.
Рассмотрим выходную характеристику при Iб=-Iко, её можно снять, поставить закоротку между эмиттером и базой.
При этом эмиттерный переход зашунтирован и в коллекторной цепи протекает ток Iко в базовой цепи.
Дата добавления: 2015-07-15; просмотров: 91 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Устройство и принцип действия биполярного (бездрейфового) транзистора. | | | Полупроводниковый усилительный каскад на биполярном транзисторе. |