Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Фиксация и температурная стабилизация положения рабочей точки.

Читайте также:
  1. B. ПРОГРАММНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ НЕЙТРАЛЬНОГО ПОЛОЖЕНИЯ КОРОБКИ ПЕРЕДАЧ ДЛЯ АВТОМОБИЛЕЙ С НЕАВТОМАТИЧЕСКОЙ ТРАНСМИССИЕЙ (петля фиолетового провода должна быть перерезана)
  2. I. Общие методические требования и положения
  3. I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
  4. I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
  5. I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
  6. I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ
  7. I. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ

1). Простейший способ фиксации положения рабочей точки – фиксация током покоя базы IбА – осуществляется подбором сопротивления резистора Rб. При этом способе фиксации изменения IкА вследствие колебаний температуры происходят в широких пределах.

По второму закону Кирхгофа

IбRб+Uэб=Eк, => Iб=(Eк-Uэб)/Rб

Так как Uэб<<Eк, то Iб≈Eк/Rб.

Для этого способа фиксации требуется небольшое количество простых схемных элементов, ток смещения IбА почти не зависит от напряжения на эмиттерно-базовом переходе Uэб. Это напряжение необходимо для стабилизации тока коллектора при повышении температуры. Это преимущество.

Установившееся значение тока коллектора , . Ток I ко является неуправляемым током, поэтому положение рабочей точки может меняться. Этому способствует также и увеличение коэффициента при повышении температуры, а также его сильный разброс у разных экземпляров транзисторов. Несмотря на указанные недостатки, токовое смещение используется особенно при экспериментальных работах. Изменение положения рабочей точки существенно уменьшается при больших токах коллектора () и малых нагрузках.

 

 

 

2.) В идеальном случае смещение на транзистор должно задаваться таким способом, чтобы исключить большие уходы рабочей точки при изменении температуры. Действительно, при отсутствии температурной стабилизации или в случае, когда повышение температуры вызывает увеличение тока коллектора, которое в свою очередь приводит к дальнейшему росту температуры. Таким образом подобный эффект является накапливающимся и может привести к разрушению транзистора, хотя на практике это может произойти только в мощных каскадах. Рассмотрим простейший метод температурной стабилизации рабочей точки.

Uэк+IкRк=Eк => Uэк= Eк- IкRк
Считаем, что Iк>>Iб. Также запишем

(при условии, что Uэк>> Uэб). Перепишем (2) с учётом (3) и (1)

, откуда . Дифференцируя это равенство по , получаем:

. Отсюда следует, что приращение тока утечки приводит к приращению тока коллектора, равному: , где . Множитель представляет собой коэффициент стабилизации. Необходимо стремиться сделать его по возможности большим. Это достигается применением транзисторов с большим .

Недостатки: ток коллектора должен быть больше ; имеется ООС (отрицательная обратная связь) по переменной составляющей сигнала, если не предусмотреть специальных мер для развязки; степень стабилизации сравнительно невелика.

Этот метод стабилизации, как правило, применяется в усилительных каскадах с инвертированием сигнала.

Преимущество: для его реализации требуется лишь один конденсатор (вносится только одна дополнительная постоянная времени). Это очень важно для усилителей с ОС.

3.) Стабилизация с помощью резистора в цепи эмиттера. Такой метод стабилизации применяется совместно с делителем напряжения, с помощью которого задаётся напряжение на базе. Из схемы видно, что напряжение на базе задаётся делителем, образованным резисторами R1 и R2.

(при Uб>> Uэб).

При малых сопротивлениях резисторов R1 и R2 и большом Rэ. Эта схема ничем не отличается от схемы с общей базой. Здесь током утечки является I ко (а не ), . В широком диапазоне температур α изменяется незначительно, следовательно, эта схема обеспечивает хорошую стабилизацию.

По теореме об эквивалентном генераторе:

 

, . По второму закону Кирхгофа , откуда

Из этих трех уравнений получим выражение для Iб и Iк при Uэб<<Uэ:

 

подставим (6) в (4)

подставим (8) в (7)

подставим (9) в (5)

, где - коэффициент стабилизации. Дифференцируя по , получаем .

При Rэ>>Rб К=1+ . Таким образом разработчик имеет возможность получить необходимую степень стабилизации путём соответствующего выбора сопротивления.

 


Дата добавления: 2015-07-15; просмотров: 154 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Электропроводность полупроводников. | Электронно-дырочный переход. | Полупроводниковый диод. | Полупроводниковый стабилитрон. | Устройство и принцип действия биполярного (бездрейфового) транзистора. | При включении с общим эмиттером. | Полупроводниковый усилительный каскад на биполярном транзисторе. | Характеристики транзисторных усилителей. | Выпрямители. | Двухполупериодные выпрямители переменного тока. |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Схема усилительного каскада с общим эммитером.| Транзистор как четырёхполюсник.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.008 сек.)