Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Характеристики транзисторных усилителей.

Читайте также:
  1. I. Измерение частотной характеристики усилителя и определение его полосы пропускания
  2. I.2. Классификация усилителей.
  3. I.3. Основные технические показатели усилителей.
  4. III. ВРЕМЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ УСИЛИТЕЛЕЙ
  5. IX.3. Параметры резонансных усилителей.
  6. А.2 Гигиенические характеристики и нормы вибрации
  7. Административно-управленческие характеристики психотипов

Приведем три схемы включения транзистора только для сигнала, а все источники постоянного напряжения заменим закоротками.

Напомним, что транзистор можно представить в виде стандартной гибридной эквивалентной схемы.

Приведём её также для сигнала. Параметры этой схемы для каждой схемы включения транзистора будут различны. Приведём параметры схем с общим эмиттером и общим коллектором, выраженные через параметры схемы с общим эмиттером.

Δhэ=h11эh22э- h12эh21э.

ОЭ ОБ ОК
h11э h11к=h11э
h12э h1=1-h1
h21э h21к=-(1+h21э)
h22э h22к=h22э

С другой стороны, эквивалентную схему для включения транзистора с общим эмиттером можно преобразовать для любой другой схемы включения.

 

 

 

 

 

Упростим эти эквивалентные схемы в предположении Rн<<1/h22э:

 

 

 

а) Коэффициент передачи тока

Из схемы 1: i2=U2h22э+h21эi1. Учтём что U2=-i2Rн, тогда:
i2=-i2Rнh22э+h21эi1 => .

Если Rн<<1/h22э, то коэффициент передачи kiоэ приближается к величине h21э, (К3 на выходе), что сразу видно из схемы 1У.

 

 

Из схемы 2У. - здесь учтено, что . Тогда . При .

Из схемы 3У. , откуда

При .

Формулу (1) можно применять для всех схем включения в виде:

Ki=h21/1+Rнh22.

Из неё видно (при тепловых значениях 1/h22э=20 кОм, 1/h22б= 1 МОм), что падение коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером начнётся при меньшем сопротивлении нагрузки, чем в схеме с общей базой. Этот факт иллюстрируют и приведённые графики.

б) коэффициент передачи напряжения. Из схемы * в общем виде (Rн на выходе)

i2=U2h22+h21i1

i2=-U2/Rн

U1=i1h11+h12U2

 

, подставим в (1) уравнение с учётом (2) и получим

или

, где

. В большинстве случаев на практике
, тогда

, то есть

Из схемы 2У:

i1=-Uвых/(h21эRн), тогда

h21э=50; h11э=103; h12э=5*10-4; h22э=5*10-5.

Это типичные параметры транзистора. Поэтому (4) можно переписать в виде: или .

Из схемы 3У:

;

.

, подставим в первое уравнение.

, так как , то .

При сопротивлении нагрузки Rн, меньшим по сравнению с h11э/1+h21э, коэффициент передачи напряжения в схеме с общим коллектором близок к 1.

По этой причине и ещё потому, что сигнал в схеме с общим коллектором не инвертируется, её называют элементарный повторитель. Зависимости, показанные на рисунке, получены при рассмотрении полных эквивалентных схем (1, 2, 3).

 

в) входное сопротивление

Из схемы 1У =>, входным сопротивлением Rвхоэ является h11э, которое приблизительно = 2 кОм для маломощных транзисторов при токе эмиттера около 1 мА.

;

.

Из схемы 2У:

;

;

;

h21э=50; h11э=103; h12э=5*10-4; h22э=5*10-5. даже при Rн=4,0 Ком эта разность1000-100=900. При меньшем же сопротивлении нагрузки и того меньше, поэтому:

Ом,

то есть входное сопротивление схемы с общей базой много меньше, чем схемы с общим эмиттером. Это обусловлено большим входным током в схеме.

Из схемы 3У:

;

Тогда .

При сопротивлении Rн, не равным 0, Rbx, каскада с общим коллектором оказывается выше, чем в схеме с общим эмиттером, т.к. давление выходного напряжения к напряжению h11э i, увеличивает входное напряжение при фиксированном значении входного тока. Хотя входное сопротивление может быть очень большим (порядка нескольких МОм), через базу транзистора всегда протекает ток, равный выходному току, поделенному на коэффициент передачи тока. Для нашего транзистора и Rн= 1 кОм

Rвхок=1·103+(1+50)·103=52 кОм

В приближённых расчетах считают

Rвxок≈h21эRн – трансформатор сопротивления

г) выходное сопротивление

Выходное сопротивление в схеме с общим эмиттером с изменением внутреннего сопротивления источника сигнала Re остаётся приблизительно постоянным, а в двух других схемах включения оно изменяется, как это показано на рисунке.

 

 

Из схемы 4.


,

При подстановке h-параметров для схемы с общим коллектором из таблицы в уравнение (5) получим:
при , таким образом при КОм и ; Ом.

 

 


Дата добавления: 2015-07-15; просмотров: 93 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Электропроводность полупроводников. | Электронно-дырочный переход. | Полупроводниковый диод. | Полупроводниковый стабилитрон. | Устройство и принцип действия биполярного (бездрейфового) транзистора. | При включении с общим эмиттером. | Полупроводниковый усилительный каскад на биполярном транзисторе. | Схема усилительного каскада с общим эммитером. | Фиксация и температурная стабилизация положения рабочей точки. | Двухполупериодные выпрямители переменного тока. |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Транзистор как четырёхполюсник.| Выпрямители.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.012 сек.)