Читайте также: |
|
|
|
До основних параметрів біполярних транзисторів належать:
Saturation current (IS) – зворотний струм колекторного переходу, А;
Forward current gain coefficient (BF) – коефіціент підсилення струму в схемі з ЗЕ h21;
Reverse current gain coefficient (BR) – коефіціент підсилення струму в схемі з ЗЕ при інверсному включенні транзистора (емітер і колектор міняються місцями);
Base ohmic resistance (RB) – об’ємний опір бази, Ом;
Collector ohmic resistance (RC) – об’ємний опір колектора, Ом;
Emitter ohmic resistance (RE) – об’ємний опір емітера, Ом;
Zero-bias B-E junction capacitance (CJE) – емність емітерного переходу при нульовій напрузі, Ф;
Zero-bias C-E junction capacitance (CJC) – емність колекторного переходу при нульовій напрузі, Ф;
Substrate capacitance (CJS) – ємність колектор-підложка, Ф;
Forward transit time (TF) – час переносу заряду через базу, с;
Revers transit (TR) – час переносу заряду через базу в інверсному включенні, с;
B-E junction grading coefficient (ME) – коефіціент плавності емітерного переходу;
B-C junction grading coefficient (MC) – коефіціент плавності колекторного переходу;
Early voltage (VA) – напруга Ерлі, близька до параметру Uк max , В;
Base-Emitter Leakage Saturation Current (ISE) – зворотний струм емітерного переходу, А;
Forward beta high-current knee-point (IKF) – струм початку спаду підсилення по струму, близький до параметру Iк max, А;
Base-emitter leakage emission coefficient (NE) – коефіціент неідеальності емітерного переходу;
B-C junction potential (VJC) – контактна різниця потенціалів переходу база-колектор, В;
B-E junction potential (VJE) – контактна різниця потенціалів переходу база-емітер, В.
Рис. 5.3
Рис. 5.4
|
Оскільки метою каскаду є забезпечення максимальної якості підсилення, якість вихідного сигналу необхідно аналізувати за допомогою Фур’є-аналізу.
На рис. 5.5 наведені результати Фур’є-аналізу вихідного сигналу, який зображений на осцилограмі (рис. 5.4). На нульовій частоті відображена постійна складова напруги, що відповідає значенню, яке можна побачити на вольтметрі. Перша гармонічна складова частоти 500 Гц трохи менша 3 В, що теж співпадає з показами осцилографа. Вищі гармоніки мають значно менші амплітуди і частоти, кратні частоті 500 Гц. На осцилограмі (рис. 5.6) покази вихідного сигналу для наочності зміщені по вертикальній осі на 1 В.
Рис. 5.6
Послідовно збільшуючи амплітуду вхідного сигналу і підбираючи величину базового резистора, можна знайти точку, при якій спотворення позитивної і негативної амплітуд вихідного сигналу при зростанні вхідного з’являтимуться одночасно. Така точка і буде робочою точкою транзисторного підсилювача. Це також зручніше робити за допомогою Parameter Sweep. Для неспотвореного сигналу у цій точці матиме місце мінімальний рівень вищих гармонік.
Рис. 5.7
Для схеми, що аналізується, за допомогою пристрою Bode Plotter або директиви AC Analysis можна отримати частотні характеристики. Bode Plotter підключається так, як вказано на рис. 5.7.
Вибір робочої точки для польових транзисторів розглянемо стосовно канальних транзисторів, для яких, при відсутності напруги на затворі, канал буде повністю відкритим. Схема вибору робочої точки приведена на рис. 5.10. Особливість її полягає у тому, що напругу на затворі задають опори витоку і затвору. Параметри підсилення каскаду визначаються величиною резистора стоку і крутизною стоко-затворної характеристики транзистора в робочій точці.
Дата добавления: 2015-10-29; просмотров: 133 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Використання пакету EWB для виконання роботи | | | Порядок виконання роботи |