Читайте также:
|
|
Наблюдается в очень сильных электрических полях.
Сильное электрическое поле, действуя на электроны атомов п/п-ка, вызывает наклон энергетических зон, т.к. потенциальная энергия электрона во внешнем электрическом поле напряженностью Ē будет определяться его координатой х:
А полная энергия электрона в п/п-ке при наличии внешнего электрического поля
где W- энергия электрона в отсутствие поля.
Ē |
Eg |
x |
Ev |
Ec |
Б |
B |
A |
Наклон зон тем больше, чем больше величина напряжённости электрического поля Ē.
В этом случае, как видно из рис., возможен переход электрона из валентной зоны в зону проводимости благодаря туннельному эффекту, т.е. без изменения энергии. Вероятность туннельного перехода зависит от высоты потенциального барьера АБ, равной ширине запрещённой зоны, и его ширины АВ. Ширина барьера АВ уменьшается с повышением напряжённости поля. Эффективная ширина барьера АВ=∆х может быть определена из разности потенциальной энергии электрона в зоне проводимости в точке В, а в валентной зоне – в точке А.
Так как U(В)-U(А)= -e E ∆х= -∆Egc точностью до аддитивной постоянной, то эффективная ширина барьера будет
Согласно формуле ширина потенциального барьера зависит от напряжённости электрического поля.
Переход электрона из точки А в точку В связан с переходом сквозь треугольный потенциальный барьер АБВ.
Вероятность перехода сквозь барьер треугольной формы, как известно из квантовой механики, имеет вид:
Вероятность туннельного эффекта становится заметной при полях ~
Т.к. концентрация электронов в V-зоне Þ концентрация в С-зоне, то туннелирование происходит преимущественно из V-зоны в зону проводимости.
Особенностью электростатической ионизации является тот факт, что её вероятность не зависит от температуры.
При электростатической ионизации доноров вероятность туннельного эффекта значительно возрастает, так как при этом и высота и ширина барьера становятся меньше.
Термоэлектронная ионизация ( эффект Френкеля)
Рассмотрим энергетический спектр одного донорного примесного атома без и при наличии электрического поля. Они имеют вид:
Как видно из второго рисунка действие поля приводит либо:
1. к безактивному просачиванию в зону проводимости путём туннельного эффекта
2. к уменьшению на величину ΔW энергии активации, необходимой для теплового заброса электрона в зону проводимости
Первый механизм ↑ электронов рассмотрели раньше.
Рассмотрим только второй. Из рис. видно, что величина ΔW растёт с ростом поля.
В отсутствие поля число электронов в зоне проводимости определяется соотношением:
При наличии поля величина Δ снижается на ΔW и
Тогда т.е. концентрация электронов в зоне проводимости экспоненциально растёт с ростом напряжённости электрического поля.
Количественно связь ΔW с ε можно установить, учитывая, что ход потенциальной энергии вблизи примесного атома апроксимируется выражением:
Высота потенциального барьера максимальна в точке , определяемого уравнением
откуда
Высота барьера в точке
и, следовательно,
оценки показывают, что рост концентрации носителей за счёт термоэлектронной ионизации должен наблюдаться при относительно слабых полях(ε~ )
Этот эффект экспоненциально растёт с увеличением температуры.
Дата добавления: 2015-10-31; просмотров: 326 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Явление переноса в сильных электрических полях. | | | Эффект Ганна. |