Читайте также:
|
|
Наиболее важной характеристикой электронного энергетического спектра является распределение электронных состояний по энергиям. Количественно описать это распределение можно, используя понятие " плотность состояний ".
Пусть в кристалле единичного объема в интервале энергий от Е до Е+dE имеется dZ квантовых состояний (безучета спина). В выбранном интервале энергии dE=const при различных значениях величины энергии Е число состояний dZ может различаться. Поэтому будем считать, что
во-первых, dZ зависит от величины Е, то есть dZ = dZ (Е);
во-вторых, связь между dZ и dE задается соотношением
, (2.1)
где коэффициент N, называемый плотностью состояний, также зависит от величины Е.
Физический смысл плотности состояний очевиден. Из соотношения (2.1) следует:
N(E) = , (2.2)
следовательно, плотность состояний – это число состояний в единичном интервале энергий для единичного объема кристалла.
Расчет величины N(Е) является довольно сложной квантовомеханической задачей, так как ее значениетесным образом связано с формой изоэнергетических поверхностей. Действительно, построим в зоне Бриллюэна две изоэнергетические поверхности Е и Е+dE. Они выделяют некоторый слой в пространстве квазиимпульса (рис. 1). Пусть объем этого слоя dtp, ему соответствует объем фазового пространства, то есть пространства координатx, y, z и импульсов px, py, pz
(2.3)
Согласно принципа неопределенности Гейзенберга, минимальный объем фазовой ячейки, в которой может уместиться частица, равен h3. . Следовательно, число фазовых ячеек в объеме фазового пространства dГ равно , а число состояний для единичного объема
. (2.4)
Учитывая соотношения (2.1) и (2.3) следует
(2.5)
Входящую в выражение (2.5) величину объема слоя в пространстве квазимпульса dtk(E,E+dE) можно найти, если известно уравнение изоэнергетических поверхностей.
Рассмотрим некоторые частные случаи.
1. Предположим, что изоэнергетические поверхности имеют форму сферы с минимальной энергией Emin в центре зоны Бриллюэна. Пусть
(2.6)
Две изоэнергетические поверхности Е и Е+dЕ выделяют сферический слой толщиной dk и объемом dtk(Е, Е+dE) (рис. 1):
(2.7)
Воспользовавшись соотношением (2.6), выразим k через E:
(2.8)
Дифференцируя по k первое выражение в (2.9), получим
(2.9)
Учитывая соотношения (2.7), (2.8) и (2.9), можем записать
(2.10)
Для dZ из (2.5) и (2.10) получим
(2.11)
или
(2.12)
Таким образом, если энергия носителей заряда является квадратичной функцией квазимпульса, то плотность состояний N(Е) имеет зависимость от энергии вида .
Дата добавления: 2015-10-31; просмотров: 284 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Электронная теория примесных состояний. | | | Концентрация электронов и дырок |