Читайте также:
|
|
Вначале рассчитаем числа Гуммеля для эмиттера и базы. Число Гуммеля характеризует уровень легирования структуры и определяет количество атомов примеси на квадратном сантиметре слоя.
- число Гуммеля в эмиттере |
- число Гуммеля в базе |
В утверждается, что в эпитаксиально-планарных транзисторах Gb= 1012- 1013см-2.
Рассчитаем средние значения подвижностей, коэффициентов
диффузии для базы и эмиттера:
- средняя концентрация примеси в эмиттере, ; |
- средняя концентрация примеси в активной базе, |
- средняя подвижность электронов в базе, ; |
-средняя подвижность дырок в эмиттере, |
Коэффициент диффузии электронов в базе |
Коэффициент диффузии дырок в эмиттере |
Определим коэффициент инжекции |
Полученный коэффициент инжекции служит для грубой оценки коэффициента передачи тока базы. Найдём коэффициент переноса , статический коэффициент передачи тока эмиттера , а затем статический коэффициент передачи тока базы . Обозначим среднее время жизни электронов в базе , время пролёта базы .
Полученный результат является завышенным, так как реальные значения коэффициента передачи тока базы лежат в пределах 10 - 100. Такой результат обусловлен тем, что не учитываются эффекты высокого уровня легирования, вытеснения тока к краю эмиттера, эффекты квазинасыщения и Кирка. Однако если при грубой оценке получается значение коэффициента передачи менее 100, то необходимо изменить профиль легирования.
Дата добавления: 2015-08-17; просмотров: 143 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Расчет удельных поверхностных сопротивлений базового и эмиттерного слоёв | | | Расчет толщин активной части базы, ширины высокоомной области коллектора и эпитаксиального слоя |