Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Расчет напряжения насыщения

Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора | Расчет профиля легирования | Расчет удельных поверхностных сопротивлений базового и эмиттерного слоёв | Приближённый расчёт коэффициента передачи тока базы | Расчет толщин активной части базы, ширины высокоомной области коллектора и эпитаксиального слоя | Частоте | Расчёт функции , определяющей границы коллекторной ОПЗ и значение удельной ёмкости коллекторного перехода в зависимости от приложенного напряжения | Расчёт функции , определяющей границы ОПЗ и значение удельной ёмкости эмиттерного перехода в зависимости от приложенного напряжения | Проверка базы на прокол | Выбор топологии кристалла |


Читайте также:
  1. I. Выбор электродвигателя и кинематический расчет
  2. I. Расчет себестоимости издания
  3. II. Расчет зубчатых колес редуктора
  4. III. Предварительный расчет валов редуктора
  5. V. Расчет количества единиц лекарственной формы, которое надо принять больному за один прием.
  6. VI. Расчет разовой дозы лекарственного вещества в микстуре.
  7. А) коммутационные перенапряжения;

Рассчитаем напряжение между коллектором и эмиттером в режиме насыщения при заданном токе коллектора Iknas. Для этого вычислим значение инверсного коэффициента передачи тока эмиттера как отношение площадей эмиттера и коллектора.

 

Рассчитаем напряжение насыщения по формуле для глубокого насыщения, когда ток базы намного больше тока базы в активном режиме, необходимого для получения того же тока коллектора.

В

 

Значение не превышает заданную величину.

Другой вариант определения , где учитывается степень насыщения. Напряжение насыщения эмиттер-база рассчитывается при заданных токе базы Ibnasи токе коллектора Iknas.

Рассчитаем характеристический ток коллектора , пределяющий границу перехода от низкого к высокому уровню инжекции электронов в базу. Поскольку ранее было определено, что уровень инжекции низкий, то значение коэффициента равно 1. Для высокого уровня инжекции следует взять m, равным 2.

А

 

 

При больших токах, когда в базе достигается высокий уровень инжекции, сопротивление активной базы уменьшается (модуляции проводимости базы). Рассчитаем модулированное сопротивление активной базы rbam, хотя ранее было установлено, что в нашем случае уровень инжекции низкий. Будем считать, что ток эмиттера примерно равен току коллектора при определении граничной частоты Ikfgr

Ом

 

 

Полученное значение модулированного сопротивления активной базы практически не отличается от немодулированного 1,5 Ом.

А

 

Дата добавления: 2015-08-17; просмотров: 65 | Нарушение авторских прав

<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Расчет граничной частоты| Расчёт статического коэффициента передачи тока базы с учётом эффектов высокого уровня легирования эмиттера и особенностей профиля легирования
mybiblioteka.su - 2015-2025 год. (0.006 сек.)