Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Частоте

Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора | Расчет профиля легирования | Расчет удельных поверхностных сопротивлений базового и эмиттерного слоёв | Приближённый расчёт коэффициента передачи тока базы | Расчёт функции , определяющей границы ОПЗ и значение удельной ёмкости эмиттерного перехода в зависимости от приложенного напряжения | Проверка базы на прокол | Выбор топологии кристалла | Расчет граничной частоты | Расчет напряжения насыщения | Расчёт статического коэффициента передачи тока базы с учётом эффектов высокого уровня легирования эмиттера и особенностей профиля легирования |


Читайте также:
  1. О частоте тренировок

 

Найдём максимальное значение ширины базы , которое ещё обеспечивает заданную граничную частоту. Определенная по расчету профиля ширина базы должна быть меньше предельной.

 

 

Поскольку меньше , то ширина базы подходит по частоте. В противном случае следовало бы изменить параметры диффузионного процесса для уменьшения ширины базы.

 


Дата добавления: 2015-08-17; просмотров: 49 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Расчет толщин активной части базы, ширины высокоомной области коллектора и эпитаксиального слоя| Расчёт функции , определяющей границы коллекторной ОПЗ и значение удельной ёмкости коллекторного перехода в зависимости от приложенного напряжения

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)