Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Расчёт статического коэффициента передачи тока базы с учётом эффектов высокого уровня легирования эмиттера и особенностей профиля легирования

Расчет профиля легирования | Расчет удельных поверхностных сопротивлений базового и эмиттерного слоёв | Приближённый расчёт коэффициента передачи тока базы | Расчет толщин активной части базы, ширины высокоомной области коллектора и эпитаксиального слоя | Частоте | Расчёт функции , определяющей границы коллекторной ОПЗ и значение удельной ёмкости коллекторного перехода в зависимости от приложенного напряжения | Расчёт функции , определяющей границы ОПЗ и значение удельной ёмкости эмиттерного перехода в зависимости от приложенного напряжения | Проверка базы на прокол | Выбор топологии кристалла | Расчет граничной частоты |


Читайте также:
  1. I Форум Союзного государства вузов инженерно-технологического профиля
  2. I. Тест по Международному частному праву для специальностей юридического профиля.
  3. Lt;question>Укажите, какие из названных характерных особенностей научного стиля являются лишними.
  4. Lt;question>Укажите, какие из приведенных особенностей не характерны для научного стиля?
  5. VI. ИССЛЕДОВАНИЕ ИНДИВИДУАЛЬНЫХ ОСОБЕННОСТЕЙ И КАЧЕСТВ ЛИЧНОСТИ
  6. VII. ИССЛЕДОВАНИЕ УРОВНЯ ГОТОВНОСТИ К ШКОЛЕ
  7. А) Обеспечение высокого уровня доходов и потребления для всего населения. Развитие торговли

 

Для обеспечения высокого коэффициента инжекции, а следовательно, и статического коэффициента передачи тока, эмиттер легируют сильнее чем базу. Высокий уровень легирования в эмиттере приводит к сужению ширины запрещенной зоны, уменьшению времени жизни и диффузионной длины носителей тока. Поскольку эмиттер легирован неоднородно, сужение ширины запрещённой зоны также неравномерно по толщине эмиттера. Неравномерное легирование эмиттера и неоднородное по толщине эмиттера сужение запрещённой зоны вызывают появление электрических полей в области эмиттера. Эти поля и изменение электрофизических характеристик эмиттера влияют на движение носителей в эмиттере, а следовательно, и на коэффициент инжекции.

В

Рассчитаем времена жизни и диффузионные длины носителей в эмиттере. Будем считать, что напряжение на эмиттерном переходе в активном режиме равно 0.5 В.

Определим градиент концентрации примеси на эмиттерной границе ОПЗ. В начале рассчитаем координату границы ОПЗ в эмиттере .
 
 

 

см

Рассчитаем зависимость градиента концентрации суммарной примеси в эмиттере от координаты.

см-4
Рассчитаем напряженность эл. поля в эмиттере, вызванная градиентом концентрации примеси в эмиттере.
В/см
Определим напряженность поля на краю эмиттера у ОПЗ, вызванную изменением ширины запрещенной зоны, используя эмпирические константы и .
см-3
В
В/см
Результирующую напряжённость силового поля определим как сумму
В/см  
Определим подвижности основных и неосновных носителей заряда в зависимости от координаты.
 
 
 
 

 

 

 

 

Рис.3. Зависимость подвижности дырок в эмиттере от координаты

 

Определим подвижность дырок на участке, отстоящем на две ширины ОПЗ в эмиттере. В дальнейшем необходимо усреднить подвижность на участке равном эффективной диффузионной длине (величина эффективной диффузионной длины заранее не известна).

Рассчитаем средний коэффициент диффузии дырок в эмиттере на границе ОПЗ.
По известным значениям подвижностей электронов и дырок рассчитаем времена жизни в исходном материале, т.е. в подложке.
 
 
 
 

 

 

 

 

 

с

с

Рассчитаем время жизни дырок в эмиттере. Необходимо учесть, что при проведении технологических операций время жизни уменьшается на один-два порядка. Зададим это уменьшение величиной c = 0,1. Зависимость времени жизни от концентрации учитывается следующей эмпирической формулой.

Рис.4. Зависимость времени жизни в эмиттере от координаты

 

 

Рассчитаем диффузионную длину дырок в эмиттере.
 

 

Рис.5. Зависимость диффузионной длины дырок в эмиттере от координаты
см
Рассчитаем фактор электрического поля в эмиттере.
В/см
Эффективная диффузионная длина дырок в эмиттере определяется для учёта электрического поля за счёт высокого уровня легирования.

 

 

 

 

Рассчитаем эффективную концентрацию собственных носителей с учетом уменьшения ширины запрещенной зоны

 

 

 
 
 
 
Рис.6. Зависимость эффективной концентрации собственных носителей в эмиттере от координаты

 

Усредним эффективную концентрацию на диффузионной длине
Определим дырочную составляющую тока насыщения эмиттерного перехода при низком уровне инжекции

 

А

 


Дата добавления: 2015-08-17; просмотров: 124 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Расчет напряжения насыщения| Эффект Кирка

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.008 сек.)