Расчёт статического коэффициента передачи тока базы с учётом эффектов высокого уровня легирования эмиттера и особенностей профиля легирования
Расчет профиля легирования | Расчет удельных поверхностных сопротивлений базового и эмиттерного слоёв | Приближённый расчёт коэффициента передачи тока базы | Расчет толщин активной части базы, ширины высокоомной области коллектора и эпитаксиального слоя | Частоте | Расчёт функции , определяющей границы коллекторной ОПЗ и значение удельной ёмкости коллекторного перехода в зависимости от приложенного напряжения | Расчёт функции , определяющей границы ОПЗ и значение удельной ёмкости эмиттерного перехода в зависимости от приложенного напряжения | Проверка базы на прокол | Выбор топологии кристалла | Расчет граничной частоты |
Для обеспечения высокого коэффициента инжекции, а следовательно, и статического коэффициента передачи тока, эмиттер легируют сильнее чем базу. Высокий уровень легирования в эмиттере приводит к сужению ширины запрещенной зоны, уменьшению времени жизни и диффузионной длины носителей тока. Поскольку эмиттер легирован неоднородно, сужение ширины запрещённой зоны также неравномерно по толщине эмиттера. Неравномерное легирование эмиттера и неоднородное по толщине эмиттера сужение запрещённой зоны вызывают появление электрических полей в области эмиттера. Эти поля и изменение электрофизических характеристик эмиттера влияют на движение носителей в эмиттере, а следовательно, и на коэффициент инжекции.
В
|
Рассчитаем времена жизни и диффузионные длины носителей в эмиттере. Будем считать, что напряжение на эмиттерном переходе в активном режиме равно 0.5 В.
Определим градиент концентрации примеси на эмиттерной границе ОПЗ. В начале рассчитаем координату границы ОПЗ в эмиттере .
|

см
Рассчитаем зависимость градиента концентрации суммарной примеси в эмиттере от координаты.
см-4
|
Рассчитаем напряженность эл. поля в эмиттере, вызванная градиентом концентрации примеси в эмиттере.
|
В/см
|
Определим напряженность поля на краю эмиттера у ОПЗ, вызванную изменением ширины запрещенной зоны, используя эмпирические константы и .
|
см-3
|
В
|
В/см
|
Результирующую напряжённость силового поля определим как сумму
|
В/см
|
Определим подвижности основных и неосновных носителей заряда в зависимости от координаты.
|


Рис.3. Зависимость подвижности дырок в эмиттере от координаты
|
Определим подвижность дырок на участке, отстоящем на две ширины ОПЗ в эмиттере. В дальнейшем необходимо усреднить подвижность на участке равном эффективной диффузионной длине (величина эффективной диффузионной длины заранее не известна).
Рассчитаем средний коэффициент диффузии дырок в эмиттере на границе ОПЗ.
|
По известным значениям подвижностей электронов и дырок рассчитаем времена жизни в исходном материале, т.е. в подложке.
|

с

с
Рассчитаем время жизни дырок в эмиттере. Необходимо учесть, что при проведении технологических операций время жизни уменьшается на один-два порядка. Зададим это уменьшение величиной c = 0,1. Зависимость времени жизни от концентрации учитывается следующей эмпирической формулой.
Рис.4. Зависимость времени жизни в эмиттере от координаты
|
Рассчитаем диффузионную длину дырок в эмиттере.
|
Рис.5. Зависимость диффузионной длины дырок в эмиттере от координаты
|
см
|
Рассчитаем фактор электрического поля в эмиттере.
|
В/см
|
Эффективная диффузионная длина дырок в эмиттере определяется для учёта электрического поля за счёт высокого уровня легирования.
|
Рассчитаем эффективную концентрацию собственных носителей с учетом уменьшения ширины запрещенной зоны
|
Рис.6. Зависимость эффективной концентрации собственных носителей в эмиттере от координаты
|
Усредним эффективную концентрацию на диффузионной длине
|
Определим дырочную составляющую тока насыщения эмиттерного перехода при низком уровне инжекции
|
А
|
Дата добавления: 2015-08-17; просмотров: 124 | Нарушение авторских прав
mybiblioteka.su - 2015-2025 год. (0.008 сек.)