Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Расчет толщин активной части базы, ширины высокоомной области коллектора и эпитаксиального слоя

Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора | Расчет профиля легирования | Расчет удельных поверхностных сопротивлений базового и эмиттерного слоёв | Расчёт функции , определяющей границы коллекторной ОПЗ и значение удельной ёмкости коллекторного перехода в зависимости от приложенного напряжения | Расчёт функции , определяющей границы ОПЗ и значение удельной ёмкости эмиттерного перехода в зависимости от приложенного напряжения | Проверка базы на прокол | Выбор топологии кристалла | Расчет граничной частоты | Расчет напряжения насыщения | Расчёт статического коэффициента передачи тока базы с учётом эффектов высокого уровня легирования эмиттера и особенностей профиля легирования |


Читайте также:
  1. broken cell wall») и реактивной сушке распылением.
  2. E. Организатор оставляет за собой исключительное право отбора фотографий к публикации и отказа в приеме к участию в Фотоконкурсе без объяснения причин.
  3. I. Выбор электродвигателя и кинематический расчет
  4. I. ЗАДАЧИ ПАРТИИ В ОБЛАСТИ ЭКОНОМИЧЕСКОГО СТРОИТЕЛЬСТВА, СОЗДАНИЯ И РАЗВИТИЯ МАТЕРИАЛЬНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ БАЗЫ КОММУНИЗМА
  5. I. Изменение Конституции, участие в выборах и референдуме
  6. I. Расчет себестоимости издания
  7. II. ЗАДАЧИ ПАРТИИ В ОБЛАСТИ ПОДЪЕМА МАТЕРИАЛЬНОГО БЛАГОСОСТОЯНИЯ НАРОДА

 

Металлургическая толщина базы определяется разницей между глубинами залегания коллекторного xmkи эмиттерного перехода xme.

cм

 

 

Определим толщину эпитаксиального слоя Ln0. В эпитаксиальном слое должны последовательно разместиться высокоомный коллекторный слой Lk, база Wb0, эмиттер. Необходимо также предусмотреть запас толщины слоя на окисление для трёх фотолитографий. Слой диоксида кремния для маски при диффузии или имплантации или в качестве защитного покрытия должен иметь толщину 0.5 - 1 мкм. Толщина слоя кремния, перешедшего в окисел составляет 0.44 от слоя окисла. Примем толщину окисла для одной маски равной 0.8 мкм. Тогда для создания масок для трёх фотолитографий необходим запас толщины эпитаксиального слоя DL равный 1 мкм.

cм

Толщину эпитаксиального слоя Lk для коллекторной высокоомной области определим, исходя из условия отсутствия прокола при максимальном коллекторном напряжении.

- запас на окисление под три фотолитографии.
cм
cм

 

Дата добавления: 2015-08-17; просмотров: 58 | Нарушение авторских прав

<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Приближённый расчёт коэффициента передачи тока базы| Частоте
mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)