Проверка базы на прокол
Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора | Расчет профиля легирования | Расчет удельных поверхностных сопротивлений базового и эмиттерного слоёв | Приближённый расчёт коэффициента передачи тока базы | Расчет толщин активной части базы, ширины высокоомной области коллектора и эпитаксиального слоя | Частоте | Расчёт функции , определяющей границы коллекторной ОПЗ и значение удельной ёмкости коллекторного перехода в зависимости от приложенного напряжения | Расчет граничной частоты | Расчет напряжения насыщения | Расчёт статического коэффициента передачи тока базы с учётом эффектов высокого уровня легирования эмиттера и особенностей профиля легирования |
При увеличении напряжения смещения коллекторного перехода уменьшается ширина базы из-за увеличения ширины коллекторной ОПЗ. Смыкание коллекторной ОПЗ с эмиттерной ОПЗ называют проколом базы. При проколе резко (экспоненциально) увеличивается ток эмиттера при незначительном увеличении коллекторного напряжения, что может привести к разрушению прибора. Транзистор должен быть сконструирован так, чтобы исключить прокол при максимально допустимых обратных напряжениях на коллекторном и эмитерном переходах. Если расширение коллекторного ОПЗ в область базы при максимальном коллекторном напряжении меньше ширины базы, то прокола не будет. Самый неблагоприятный случай соответствует режиму отсечки, когда на коллекторный переход подано обратное напряжение , а на эмиттерный переход максимальное обратное напряжение Ueobr, обычно не превышающее 5 В.
Рассчитаем границу коллекторной ОПЗ в базе akдля максимального напряжения
см
|
Рассчитаем границу эмиттерной ОПЗ в базе beдля максимального обратного напряжения эмиттер-база.
|
В
|
Поскольку больше , то прокола нет.
|
см
|
Дата добавления: 2015-08-17; просмотров: 119 | Нарушение авторских прав
mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)