Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Травление технологического слоя

Читайте также:
  1. Аварийные случаи (бурения или поломка оборудования). Обслужи-вание технологического оборудования стана.
  2. Безопасность технологического процесса и оборудования
  3. В. Травление
  4. Выбор и обоснование технологического маршрута обработки детали
  5. За 47 лет работы в хоре Технологического института в нем прошли практику не один десяток студентов из музыкальных училищ, института Культуры и Консерватории.
  6. Иерархические уровни в структуре технологического процесса. Характеристика структуры.
  7. Как оформляется акт расследования технологического нарушения при несогласии отдельных членов комиссии

Операция фотолитографии " Травление технологического слоя " - это удаление участков технологического слоя, не защищенных маской фоторезиста (см. рисунки в первой теме "Фотолитография. Назначение основных операций").

Травление является ответственной операцией, так как брак после травления неисправим.

Требования, предъявляемые к травителю:

1. Травитель должен быть избирательным (селективным), т.е. должен травить только нужный технологический слой, не взаимодействуя с подложкой и фоторезистом.

2. Травитель не должен образовывать продуктов реакции, способствующих
отслаиванию фоторезиста и подтравливанию.

3. Травитель должен обеспечивать оптимальную скорость травления (чтобы, с одной стороны, было минимальное количество дефектов, а с другой стороны, чтобы можно было точно контролировать время травления).

Травление бывает жидкостным и сухим.

В состав жидкостного травителя входят:

1. Окислитель - для образования окисла на поверхности технологического слоя;

2. Растворитель - для растворения и удаления образовавшегося окисла,

3. Замедлитель (или ускоритель) реакции.

Процесс жидкостного травления изотропен, т.е. имеет одинаковую скорость травления во всех направлениях, поэтому возникает боковое подтравливание технологического слоя под маской фоторезиста (образуется клин травления), что приводит к изменениям размеров элементов рисунка:

Изменение размеров элементов рисунка не должно превышать указанных допусков! При плохой адгезии фоторезиста травитель может проникать под него на значительное расстояние, в этом случае боковое подтравливание становится недопустимо большим.


. Основными параметрами жидкостного травления являются время травления, температура и концентрация травителя.

Для травления пленок SiO2 применяют плавиковую кислоту HF и травители на ее основе (например, буферный травитель HF: NH4F: Н2О =1: 3: 7)

Для травления пленок Si3N4 используют травители на основе ортофосфорной кислоты Н3РO4.

Для травления пленок алюминия применяют как кислотные, так и щелочные травители.

Примечание: сухое травление смотри в теме "ПХТ".


Дата добавления: 2015-08-05; просмотров: 104 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Производства. | Общая характеристика полупроводникового производства. | Виды загрязнений. Обезжиривание. | Подложка | Термическое окисление. | Тема Фотолитография | Сушка фоторезиста. | Основные этапы изготовления фотошаблонов | Элементов I, II, VI, VII, VIII групп периодической | Двухстадийная диффузия. |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Совмещение и экспонирование| Удаление фоторезиста

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)