Читайте также: |
|
Процесс окисления, стимулируемый нагревом до высоких температур, принято называть термическим окислением.
Метод термического окисления применяют для получения:
1. маскирующих пленок на кремнии;
2. изоляции элементов ИМС;
3. пленок подзатворного окисла для МОП - транзисторов.
Кремний обладает большим сродством к кислороду, поэтому уже при комнатной температуре поверхность кремния покрыта пленкой SiO2 толщиной 10 – 50 Å. Для увеличения толщины этой пленки необходима термическая стимуляция окисления.
Процесс получения термического окисла можно разбить на четыре этапа:
1. доставка окислителя к подложкам и адсорбция частиц окислителя поверхностью;
2. диффузия окислителя сквозь пленку SiO2 к поверхности кремния;
3. химическое взаимодействие окислителя с кремнием с образованием SiO2;
4. удаление продуктов реакций.
В качестве окислителя применяют сухой или влажный кислород.
При использовании сухого кислорода на поверхности кремния идет реакция:
При использовании влажного кислорода идет еще дополнительная реакция:
В сухом кислороде пленка растет медленно (0,01 - 0,09 мкм/час), но имеет качественную структуру.
Во влажном кислороде пленка растет быстрее (0,2 - 1,2 мкм/час), но имеет пористую структуру, плохие свойства границы раздела между Si и SiO2.
Чем выше температура процесса, тем выше скорость роста пленки SiO2.
На образование пленки SiO2 расходуются атомы кремния, поэтому исходнаяповерхность подложки в процессе окисления движется вглубь пластины. Внешняя поверхность окисладвижется вверх за счет больших размеров молекул SiO2 (по сравнению с атомами Si).
Схема процесса термического окисления кремния. |
Этапы процесса:
1. продувка камеры азотом для вытеснения воздуха;
2. нагрев рабочей зоны до предварительной температуры;
3. медленная загрузка лодочки с пластинами в рабочую зону;
4. нагрев печи с заданной скоростью до рабочей температуры;
5. подача сухого или влажного кислорода (кислород проходит сквозь воду, захватывая пары воды);
6. выдержка пластин в течение заданного времени;
7. охлаждение печи и медленная выгрузка пластин.
Температура в рабочей зоне поддерживается с точностью 0,5°С.
Процесс проводят способом открытой трубы (при атмосферном давлении).
Время процесса определяется толщиной слоя SiO2
Предварительный нагрев печи и медленная загрузка и выгрузка пластин уменьшают градиент температуры по радиусу пластин, т.е. уменьшают термические напряжения, приводящие к изгибу пластин.
Основные недостатки термического окисления:
1. высокая температура процесса, которая может привести к изгибу пластин; к
появлению дефектов; к перераспределению примесей, введенных в пластину на
предыдущих операциях;
2. невысокие скорости роста пленок.
Значительно уменьшить температуру или время процесса позволяет термическое окисление при повышенном давлении. Это объясняется увеличением концентрации окислителя и соответственным возрастанием скорости окисления кремния. Основной недостаток этого метода - сложность создания герметичных и прочных камер.
Урок
Осаждение пленок SiO2.
Осаждение пленок SiO2 отличается от термического окисления меньшими температурами подложек в процессе роста пленок и возможностью получать пленки не только на кремнии, но и на любых других подложках.
Пиролитическое осаждение SiO2 используют на заключительных стадиях изготовления ИМС, когда применение термического окисления может привести к изменениям параметров уже созданных областей ИМС.
При пиролитическом осаждении SiO2 происходит термическое разложение сложных соединений кремния с выделением SiO2. Наиболее часто используют тетраэтоксисилан Si(OC2H5)4.
В зоне подложек идет реакция:
Окисел кремния осаждается на пластинах, остальные продукты реакции уносятся газовым потоком из трубы.
Этим методом можно получать однородные, хорошо воспроизводящие рельеф пленки, но нельзя получать пленки на структурах с металлизацией из-за высоких температур процесса.
Окисление моносилана идет при более низких температурах 300° - 400°С:
Низкие температуры позволяют применять процесс для получения пленок SiО2 на алюминиевой металлизации. Чтобы получить более плоскую, сглаженную поверхность пленки на слое алюминия, имеющем ступеньки, SiО2 в процессе осаждения легируют 8 - 9 % - ми оксида фосфора. Для этого в газовую смесь добавляют газ фосфин, который, взаимодействуя с кислородом, образует легирующий окисел:
В результате получают пленку фосфорно-силикатного стекла (ФСС): n SiO2 x m P2O5.
Наличие фосфора в пленке SiO2 повышает ее термомеханическую прочность, пластичность и снижает пористость.
Фосфорно-силикатные стекла:
1. могут служить источниками легирующих примесей;
2. имеют хорошие пассивирующие свойства, предохраняя поверхность пластин от
проникновения щелочных металлов (Na, К);
3. отличаясь пластичностью, могут сглаживать углы ступенек металлизации.
После получения пленок SiO2 контролируют толщину и пористость пленок, состояние границы раздела Si - SiO2.
Тема Осаждение пленок Si3N4 и поликремния.
Урок
Осаждение пленок нитрида кремния.
Нитрид кремния Si3N4 используют:
1. для пассивации (защиты) поверхности ИМС (уже сформированных на
кремниевых подложках) от проникновения молекул воды и ионов натрия, которые
могут привести к коррозии металлизации ИМС или к нестабильности ее электрических
характеристик;
2. в качестве маски при локальном окислении кремния, что обусловлено низкой скоростью окисления самого нитрида кремния (закрытые маскирующей пленкой Si3N4 слои не окисляются);
3. в качестве маски при локальном травлении пленок SiO2.
Осаждение пленок нитрида кремния осуществляется в результате химических реакций:
а) между силаном и аммиаком при атмосферном давлении и температурах 700° - 900°С
б) между дихлорсиланом и аммиаком при пониженном давлении и температурах 700° - 800°C
При пониженном давлении пленки Si3N4 получаются более однородные. После осаждения Si3N4 контролируют толщину и пористость пленки.
Осаждение пленок поликремния.
Различия между пленками из монокристаллического и поликристаллического кремния связаны с тем, что монокристаллический кремний имеет строго упорядоченное, регулярно повторяющееся расположение атомов кремния в пространстве, а в поликристаллическом кремнии атомы группируются в зерна, свободно ориентированные в пространстве.
Поликристаллический кремний (поликремний) используется:
1. в качестве затвора в МОП- транзисторах;
2. для формирования высокоомных резисторов;
Дата добавления: 2015-08-05; просмотров: 132 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Подложка | | | Тема Фотолитография |