Читайте также:
|
|
системы.
В качестве легирующих примесей используют элементы III и V групп периодической системы. Это бор (В), фосфор (Р), мышьяк (As) и сурьма (Sb).
С помощью диффузии в полупроводник можно вводить примесь до концентраций, не превышающих предельную растворимость этой примеси при данной температуре. При t ≈ 1200° предельная растворимость бора составляет 5 • 1020 атомов/см3; фосфора - 1,3 • 1021 атомов/см3; сурьмы - 6 • 1019 атомов/см3, мышьяка - 2 • 1021 атомов/см3.
При изготовлении ИМС встречаются два случая диффузии:
![]() |
1. Диффузия из бесконечного источника примеси -
когда количество атомов примеси, уходящее из поверхностного слоя вглубь полупроводника восполняется таким же количеством атомов примеси, поступающим извне. При этом поверхностная концентрация примеси остается постоянной.
![]() |
2. Диффузия из ограниченного источника примеси -
когда количество атомов примеси, уходящее из поверхностного слоя вглубь полупроводника не восполняется. При этом поверхностная концентрация примеси со временем уменьшается.
Дата добавления: 2015-08-05; просмотров: 83 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Основные этапы изготовления фотошаблонов | | | Двухстадийная диффузия. |