Схема лабораторної установки. В цій лабораторнiй роботi проводяться дослiдження вихiдних характеристик транзисторiв

В цій лабораторнiй роботi проводяться дослiдження вихiдних характеристик транзисторiв в схемi з загальним емiтером. Схема лабораторної установки наведена рис. 5.

Рис. 5. Схема лабораторної установки

Наведена схема дослiдження характеристик транзисторiв складається на лабораторному стендi приєднанням зовнiшніх регульованих джерел постiйної напруги Е₁ i Е₂, а також мiлiамперметрiв mА1 в базове коло транзистора, mА2 в колекторне коло, вольтметра V1 між емітером та базою та V2 мiж емiтером i колектором транзистора. В цiй схемi змiннi E₁ i E₂ забезпечують змiну в необхiдних межах напруг U_е-б i U_е-к для створення рiзних значень струмiв I_б в емітерному переходi транзистора i напруги U_е-к в його колi емітер-колектор.

Визначення вихiдних вольт-амперних характеристик транзистора виконується встановленням i вимiрюванням рiзних значень прикладеної мiж його емiтером i колектором напруги U_е-к i вiдповiдних їм значень струму I_к при рiзних значеннях струму I_б в емітерному переходi транзистора. Напруга живлення u_б-е базового кола транзистора вiд зовнiшнього джерела постiйної напруги вибирається з умови:

u_б-е < u_{е-б доп}

тут: u_{е-б доп} – максимально допустима напруга між базою та емітером (береться з довідника).

Значення напруги живлення джерела Е₂ кола емітер-колектор транзистора має задовольняти умовi:

u_к-е < u_{е-к доп}

ту: u_{е-к доп} – максимально допустима напруга між колектором та емітером (береться з довідника).

Визначення характеристик транзистора доцiльно проводити встановленням 5-10 значень напруги u_е-к в при 4-6 значеннях струму I_б. При цьому значення величин U_е-к i I_б вибираються рiвними:

u_е-к=u_{е-к доп} k/n; I_б=I_{б доп} k/n,

тут: n-кiлькiсть заданих точок визначення характеристик транзистора; k-порядковий номер вимiрювань.

При дослiдженнях характеристик транзисторiв типiв МП-39 - МП-42 значення величин u_{е-к доп} = 15 В,
I_б доп = 1 мА.

У вiдповiдностi з цим дiапазони вимiрювання застосованих приладiв мають бути не менше 0-1 mА для мiлiамперметра mА1, 0-20 mА для мiлiамперметра mА2 i 0-15 В для вольтметра V1.

Результати виконаних вимiрювань величин I_б, u_е-к, I_к записуються в таблиці.

За отриманими значеннями величин I_б, u_е-к i I_к будуються графiки вольт-амперних залежностей I_к=f(u_е-к) вихiдної характеристики дослiджуваного транзистора.

Таблиця. Результати вимірювань

іб=

uе-к , В

iк , mА

іб=

uе-к , В

iк , mА

іб=

uе-к , В

iк , mА

іб=

uе-к , В

iк , mА

іб=

uе-к , В

iк , mА

Дата добавления: 2015-10-26