Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Собственная и примесная проводимости полупроводников

СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. | Интегрируя выражение для концентрации | Умножая (6.5) на (6.8) и извлекая корень, получим выражения для вычисления концентраций носителей заряда для собственного полупроводника | В области низких температур | Однако, в результате межзонной тепловой генерации появляются в донорном полупроводнике — дырки, (в акцепторном полупроводнике — электроны), это неосновные носители,. | Вместе возникновением носителей заряда происходит процесс рекомбинации. Динамическое равновесие приводит к установлению равновесной концентрации носителей. | Процесс генерации носителей характеризуют скоростью генерации g , g– число носителей, возникающих в единицу времени в единице объема. | ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТВЕРДЫХ ТЕЛ | Рассмотрение зависимости подвижности носителей заряда от температуры проведем отдельно для области высоких и низких температур. | Для невырожденного газа |


Читайте также:
  1. В кристаллах с решеткой типа алмаза нижнюю разрешенную заполненную зону называют валентной, верхнюю пустую зону — зоной проводимости.
  2. Влияние размера люминесцирующей полупроводниковой частицы на ее свойства как люминофора. Квантовые точки.
  3. ГЛАВА XXVII. О ТОМ, ЧТО СВОЯ СОБСТВЕННАЯ ЛЮБОВЬ ВСЕГО БОЛЕЕ ОТДАЛЯЕТ ОТ ВЕРХОВНОГО БЛАГА
  4. Допустимые токи проводимости вентильных разрядников при выпрямленном напряжении
  5. Испытательные напряжения промышленной частоты изоляции полупроводниковых преобразователей
  6. Исследование воздушной и костной проводимости звука, слуховые пробы Вебера, Ринне.
  7. Контакт полупроводников n и p типа.

Полупроводники высокой степени очистки в области не слишком низких температур обладают электрической проводимостью, обусловленной наличием в них собственных носителей заряда — электронов и дырок. Эту проводимость называют собственной проводимостью полупроводников.

В собственном полупроводнике имеется два типа носителей — электроны и дырки, удельная проводимость его описывается соотношением

(7.30)

Где ni, pi — концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике; μn, μр — их подвижности. Подставляя в (7.30) ni и pi из (6.12) и μn и μр из (7.16), получаем

(7.31)

где через ơ0 обозначены сомножители, стоящие перед экспонентой. Зависимость ơt от Т удобно представить в полулогарифмических координатах:

 

Рис. 7.8. Температурная зависимость электропроводности собственных полупроводников: а — теоретическая зависимость; 6 —кривые для


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 63 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
В области высоких температур u и ơ электронов обратно пропорциональны Т.| Германия и кремния

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)