Читайте также:
|
НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ
Помимо теплового процесса, возможны и другие способы генерации свободных носителей: под действием света, ионизирующих частиц, инжекции их через контакт. Это приводит к появлению избыточных по сравнению с равновесными носителей.
Концентрация избыточных носителей тогда равна:
(6.31)
Где n0 и р0 — концентрации равновесных носителей.
Скорость генерации и рекомбинации. Каждый неравновесный носитель, возникнув в полупроводнике, «живет» в нем ограниченное время до своей рекомбинации (гибели), поэтому вводят понятие времени жизни неравновесных носителей.
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 108 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Однако, в результате межзонной тепловой генерации появляются в донорном полупроводнике — дырки, (в акцепторном полупроводнике — электроны), это неосновные носители,. | | | Процесс генерации носителей характеризуют скоростью генерации g , g– число носителей, возникающих в единицу времени в единице объема. |