Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Однако, в результате межзонной тепловой генерации появляются в донорном полупроводнике — дырки, (в акцепторном полупроводнике — электроны), это неосновные носители,.

ОБРАЗОВАНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ЗОН | В кристаллах с решеткой типа алмаза нижнюю разрешенную заполненную зону называют валентной, верхнюю пустую зону — зоной проводимости. | Эффективная масса может быть и больше, и меньше массы покоя электрона. | По характеру заполнения электронами верхних зон все тела можно разделить на две большие группы. | СОБСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ | Чем меньше ширина запрещенной зоны и выше температура, тем больше электронов переходит в зону проводимости и тем выше электропроводность кристалла. | ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ | СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. | Интегрируя выражение для концентрации | Умножая (6.5) на (6.8) и извлекая корень, получим выражения для вычисления концентраций носителей заряда для собственного полупроводника |


Читайте также:
  1. III. Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины.
  2. III.Расчет теплового расходного и мощностного баланса тепловой схемы.
  3. А что имеется в виду, когда говорится, что в результате разговора начинаешь понимать сущность болезни, а в результате осмотра начинаешь видеть ситуацию развития болезни?
  4. А) Удельный тепловой поток
  5. В результате выполнения алгоритма
  6. В результате выполнения фрагмента блок-схемы алгоритма
  7. В результате изучении дисциплины курсант (студент)

Умножая на основе (6.13), получаем:

(6.29)

Удобно равновесные концентрации носителей обозначать так: nп 0 и pп 0—концентрация электронов (основных носителей) и дырок (неосновных носителей) в полупроводнике n -типа; рр 0 и nр 0— концентрация дырок (основных носителей) и электронов (неосновных носителей) в полупроводнике р -типа. В этих обозначениях (6.29) перепишется следующим образом:

(6.30)

Таким образом, произведение равновесных концентраций основных и неосновных носителей заряда равно квадрату концентрации собственных носителей в этом полупроводнике. Это соотношение называют законом действующих масс.

Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 59 | Нарушение авторских прав

<== предыдущая страница | следующая страница ==>
В области низких температур| Вместе возникновением носителей заряда происходит процесс рекомбинации. Динамическое равновесие приводит к установлению равновесной концентрации носителей.
mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)