Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Статистика носителей заряда в полупроводниках.

ФУНКЦИИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ НЕВЫРОЖДЕННОГО ГАЗА | Функцию распределения для невырожденного газа называют функцией Максвелла — Больцмана. | ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ФЕРМИ — ДИРАКА. | ЗОННЫЙ ХАРАКТЕР ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА КРИСТАЛЛОВ | ОБРАЗОВАНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ЗОН | В кристаллах с решеткой типа алмаза нижнюю разрешенную заполненную зону называют валентной, верхнюю пустую зону — зоной проводимости. | Эффективная масса может быть и больше, и меньше массы покоя электрона. | По характеру заполнения электронами верхних зон все тела можно разделить на две большие группы. | СОБСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ | Чем меньше ширина запрещенной зоны и выше температура, тем больше электронов переходит в зону проводимости и тем выше электропроводность кристалла. |


Читайте также:
  1. II. СТАТИСТИКА ПРЕДПРИЯТИЯ
  2. II. СТАТИСТИКА ПРЕДПРИЯТИЯ
  3. III. Кровавая статистика
  4. Аргументы в зависимости от их знаковых носителей - образные аргументы (размытость аргументов)
  5. Б.2.2. Статистика
  6. Вместе возникновением носителей заряда происходит процесс рекомбинации. Динамическое равновесие приводит к установлению равновесной концентрации носителей.
  7. Время жизни неравновесных носителей заряда

На рис. 6.1,апоказана схематично зонная структура собственного полупроводника, на рис. 6.1,б—кривая распределения электронов по состояниям при абсолютном нуле (кривая 1) и при достаточно высокой температуре Т (кривая 2). При Т = 0 К все электроны в валентной зоне и она заполнена целиком; в зоне проводимости электронов нет. Кривая f (Е)имеет вид ступеньки. При повышении температуры ступенька размывается и «хвост» кривой распределения простирается на некоторую глубину и в зону проводимости.

Рис. 6.1. Зонная структура собственного полупроводника (а) и распределение электронов по состояниям при абсолютном нуле (1) и при высокой температуре (2) (б)


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 206 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ| Интегрируя выражение для концентрации

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)