Читайте также: |
|
При воздействии на п/п света он получил избыточную концентрацию носителей Dn, Dp.
После прекращения энергетического воздействия на полупроводник избыточная концентрация носителей заряда в нем из-за процесса рекомбинации через некоторое время уменьшится до нуля.
!!! Количество носителей заряда, рекомбинирующих в единицу времени в единице объема (быстрота изменения концентрации), пропорционально избыточной концентрации и обратно пропорционально некоторому параметру t, который называют временем жизни неравновесных носителей заряда.
dn/dt =Dn/tn; dp/dt =Dp/tp (2.10)
Концентрация неравновесных носителей заряда
n = Dn e –t/tn; p = Dp e –t/tp (2.11)
!!! временем жизни неравновесных носителей заряда является отношение избыточной концентрации (Dn или D р) неравновесных носителей заряда к скорости изменения этой концентрации вследствие рекомбинации:
tn,р = Dn,p/(dn,p/dt) (2.12)
02.2013 Флёров А.Н. курс “ Электроника и МПУ” Для самостоятельного изучения
ПРИЛОЖЕНИЕ 1
http://ru.wikipedia.org/wiki/%C7%E0%EF%F0%E5%F9%B8%ED%ED%E0%FF_%E7%EE%ED%E0
Ширина запрещённой зоны различных материалов
Материал | Энергия в эВ 300 K |
C (Алмаз) | 5,46–6,4 |
Si | 1,12 |
Ge | 0,67 |
Se | 1,74 |
АIVВIV | |
SiC 3C | 2,36 |
SiC 4H | 3,28 |
SiC 6H | 3,03 |
АIIIВV | |
InAs | 0,355 |
InSb | 0,17 |
InN | 0,7 |
InxGa1-xN | 0,7–3,37 |
GaN | 3,37 |
GaP 3C | 2,26 |
GaSb | 0,69 |
GaAs | 1,42 |
AlxGa1-xAs | 1,42–2,16 |
AlAs | 2,16 |
AlSb | 1,58 |
AlN | 6,2 |
АIIВVI | |
TiO2 | 3,2 |
ZnO | 3,37 |
ZnS | 3,56 |
ZnSe | 2,70 |
CdS | 2,42 |
CdSe | 1,74 |
CdTe | 1,45 |
CdS | 2,4 |
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 58 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Генерация и рекомбинация | | | Полупроводниковые вещества |