Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Время жизни неравновесных носителей заряда

Полупроводники | Элементарные полупроводники | Кристаллическая решетка |


Читайте также:
  1. C Настоящее время
  2. D ВРЕМЯ И 5D ВРЕМЯ
  3. Future Simple (Будущее простое время)
  4. I. Внутренняя политика России во время правления Николая I.
  5. I. Деятельность как доминирующая сфера жизни личности
  6. I. Состав суда и время собраний
  7. II. Время и место проведения.

При воздействии на п/п света он получил избыточную концентрацию носителей Dn, Dp.

После прекращения энергетического воздействия на полупровод­ник избыточная концентрация носителей заряда в нем из-за про­цесса рекомбинации через некоторое время уменьшится до нуля.

 

!!! Количество носителей заряда, рекомбинирующих в единицу вре­мени в единице объема (быстрота изменения концентрации), пропорционально избыточной концентрации и обратно пропор­ционально некоторому параметру t, который называют временем жизни неравновесных носителей заряда.

 

dn/dt =Dn/tn; dp/dt =Dp/tp (2.10)

 

Концентрация неравновесных носителей заряда

 

n = Dn et/tn; p = Dp et/tp (2.11)

 

!!! временем жизни неравновесных носителей заряда является отношение избыточной концентрации (Dn или D р) неравновесных носителей заряда к скорости изменения этой концентрации вследствие рекомбинации:

 

tn= Dn,p/(dn,p/dt) (2.12)

 

02.2013 Флёров А.Н. курс “ Электроника и МПУ” Для самостоятельного изучения

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 1

 

http://ru.wikipedia.org/wiki/%C7%E0%EF%F0%E5%F9%B8%ED%ED%E0%FF_%E7%EE%ED%E0

Ширина запрещённой зоны различных материалов

 


Материал Энергия в эВ 300 K
C (Алмаз) 5,46–6,4
Si 1,12
Ge 0,67
Se 1,74
АIVВIV
SiC 3C 2,36
SiC 4H 3,28
SiC 6H 3,03
АIIIВV
InAs 0,355
InSb 0,17
InN 0,7
InxGa1-xN 0,7–3,37
GaN 3,37
GaP 3C 2,26
GaSb 0,69
GaAs 1,42
AlxGa1-xAs 1,42–2,16
AlAs 2,16
AlSb 1,58
AlN 6,2
АIIВVI
TiO2 3,2
ZnO 3,37
ZnS 3,56
ZnSe 2,70
CdS 2,42
CdSe 1,74
CdTe 1,45
CdS 2,4

 


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 58 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Генерация и рекомбинация| Полупроводниковые вещества

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)