Чем меньше ширина запрещенной зоны и выше температура, тем больше электронов переходит в зону проводимости и тем выше электропроводность кристалла.
ФУНКЦИИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ НЕВЫРОЖДЕННОГО ГАЗА | Функцию распределения для невырожденного газа называют функцией Максвелла — Больцмана. | ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ФЕРМИ — ДИРАКА. | ЗОННЫЙ ХАРАКТЕР ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА КРИСТАЛЛОВ | ОБРАЗОВАНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ЗОН | В кристаллах с решеткой типа алмаза нижнюю разрешенную заполненную зону называют валентной, верхнюю пустую зону — зоной проводимости. | Эффективная масса может быть и больше, и меньше массы покоя электрона. | По характеру заполнения электронами верхних зон все тела можно разделить на две большие группы. | СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. | Интегрируя выражение для концентрации |
Читайте также: A - Воскресная стихира знаменного роспева II гласа (длительности уменьшены вдвое) B) Cоставьте как можно больше вопросов и задайте их одногруппникам Lt;question>Согласно, какой теории объем потребительских расходов растет, но в меньшей степени, чем растет располагаемый доход? Quot;Император Кирилл I", Ватикан, масоны и большевики XXIII Сталинский тeррор и судьбы большевизма А когда кашель связан с шестью органами-фу, то какими признаками характеризуется болезнь? Каким образом болезнь переходит от одного органа в другой? А по «большей мере», значит, три. — Понимающе кивнул я. — Это самая лучшая новость за последнюю дюжину лет... А что вы, собственно, празднуете, господа?
Проводимость полупроводников является следствием внешнего фактора внешнего фактора, сообщающего электронам валентной зоны энергию, достаточную для перехода их в зону проводимости.
Мгновенный ток, создаваемый одним электроном, движущимся со скоростью v, равен
I = — qv. (рис. 5.7).
Результирующий ток, создаваемый всеми электронами валентной зоны, I = — q å v, где суммирование проводится по всем состояниям, занятым электронами.
Рис 5 7 Иллюстрация понятия дырки в валентной зоне
Фиктивным частицам с положительным зарядом + q (называемые дырками), приписывается положительная эффективная масса, численно равная отрицательной эффективной массе электрона.
Дата добавления: 2015-07-25 ; просмотров: 127 | Нарушение авторских прав
mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.011 сек.)