Читайте также:
|
(6.20)
(6.21)
Для области истощения примеси
(6.23)
На рис. 6.7 показано изменение положения уровня Ферми от температуры для полупроводников с различных концентраций доноров.
Температурная зависимость концентрации электронов при различном содержании донорной примеси (а); уровень примеси в запрещенной зоне (б); образование примесной зоны из примесного уровня при высоком концентрации примеси (в), перекрытие примесной зоны и зоны проводимости (г).
При достаточно высокой Nn примесный уровень (рис. 6.7, б)размывается в примесную зону (рис. 6.7, в), которая при некоторой концентрации примеси расширяется и сливается с зоной проводимости (рис. 6.7, г),а энергия ионизации примесных атомов обращается в нуль. Концентрация электронов (верхняя кривая на рис. 6.7, а) перестает зависеть от температуры (г). Такие полупроводники называются вырожденными, уровень Ферми в них находится в зоне проводимости.
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 74 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Умножая (6.5) на (6.8) и извлекая корень, получим выражения для вычисления концентраций носителей заряда для собственного полупроводника | | | Однако, в результате межзонной тепловой генерации появляются в донорном полупроводнике — дырки, (в акцепторном полупроводнике — электроны), это неосновные носители,. |