Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Электропроводность твердых тел

По характеру заполнения электронами верхних зон все тела можно разделить на две большие группы. | СОБСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ | Чем меньше ширина запрещенной зоны и выше температура, тем больше электронов переходит в зону проводимости и тем выше электропроводность кристалла. | ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ | СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. | Интегрируя выражение для концентрации | Умножая (6.5) на (6.8) и извлекая корень, получим выражения для вычисления концентраций носителей заряда для собственного полупроводника | В области низких температур | Однако, в результате межзонной тепловой генерации появляются в донорном полупроводнике — дырки, (в акцепторном полупроводнике — электроны), это неосновные носители,. | Вместе возникновением носителей заряда происходит процесс рекомбинации. Динамическое равновесие приводит к установлению равновесной концентрации носителей. |


Читайте также:
  1. А) задерживание частиц дисперсной фазы на твердых перегородках
  2. Чем меньше ширина запрещенной зоны и выше температура, тем больше электронов переходит в зону проводимости и тем выше электропроводность кристалла.
  3. Электропроводность твердых тел

Дрейф электронов. При приложении к проводнику электрического поля напряженности E в нем возникает электрический ток, плотность которого, согласно закону Ома, пропорциональна E:

(7.1)

Коэффициент пропорциональности ơ называют удельной электропроводностью проводника.

Hаправленное движение электронов называют дрейфом электронов, а среднюю скорость этого движения — скоростью дрейфа

Появление электрического сопротивления связано с наличием в решетке различного рода дефектов (тепловые колебания решетки и примесные атомы). Это приводит к ограничению скорости дрейфа, к конечной величине электропроводности реальных кристаллов.


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 60 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Процесс генерации носителей характеризуют скоростью генерации g , g– число носителей, возникающих в единицу времени в единице объема.| Рассмотрение зависимости подвижности носителей заряда от температуры проведем отдельно для области высоких и низких температур.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.009 сек.)