Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Рассмотрение зависимости подвижности носителей заряда от температуры проведем отдельно для области высоких и низких температур.

СОБСТВЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ | Чем меньше ширина запрещенной зоны и выше температура, тем больше электронов переходит в зону проводимости и тем выше электропроводность кристалла. | ПРИМЕСНЫЕ УРОВНИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ | СТАТИСТИКА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. | Интегрируя выражение для концентрации | Умножая (6.5) на (6.8) и извлекая корень, получим выражения для вычисления концентраций носителей заряда для собственного полупроводника | В области низких температур | Однако, в результате межзонной тепловой генерации появляются в донорном полупроводнике — дырки, (в акцепторном полупроводнике — электроны), это неосновные носители,. | Вместе возникновением носителей заряда происходит процесс рекомбинации. Динамическое равновесие приводит к установлению равновесной концентрации носителей. | Процесс генерации носителей характеризуют скоростью генерации g , g– число носителей, возникающих в единицу времени в единице объема. |


Читайте также:
  1. D) Кристаллобластическая
  2. ER-моделирование структуры предметной области
  3. I. О ПРАВАХ ВЫШЕДШИХ ИЗ КРЕПОСТНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ЛЮДЕЙ
  4. II. Рассмотрение и поверка уставных грамот
  5. III. Рассмотрение основных признаков предложения.
  6. III. Финансовые и бюджетные показатели Ивановской области
  7. IV. ОБ ОТБЫВАНИИ КАЗЕННЫХ ПОДАТЕЙ И ПОВИННОСТЕЙ ВЫШЕДШИМИ ИЗ КРЕПОСТНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ЛЮДЬМИ

В области высоких температур основное значение имеет рассеяние электронов на тепловых колебаниях решетки — на фононах. Поэтому получаем:

, (7.16)

Для вырожденного газа

(7.17)

В области высоких температур, когда основное значение имеет рассеяние на тепловых колебаниях решетки, подвижность носителей невырожденного газа обратно пропорциональна Т3/2, подвижность носителей вырожденного газа обратно пропорциональна Т.

В области низких температур основное значение часто имеет рассеяние на ионизированных примесных атомах. Рассеяние состоит в том, что ионы примеси отклоняют электроны, проходящие вблизи них, меняя направление скорости их движения.


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 73 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТВЕРДЫХ ТЕЛ| Для невырожденного газа

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.008 сек.)