Читайте также:
|
Свойства p-n-перехода существенно зависят от температуры окружающей среды. При повышении температуры возрастает генерация пар носителей заряда, т.е. увеличивается концентрация неосновных носителей и собственная проводимость полупроводника. При повышении температуры прямой и обратный токи растут, а p-n-переход теряет свое основное свойство - одностороннюю проводимость.
Зависимость от температуры обратной ветви ВАХ определяется температурным изменением тока насыщения. Закон его изменения обычно описывается приближенной формулой:
I0(T) = I0(T0) *2∆T/T*,
где I0(T) и I0(T0) – обратные токи насыщения при текущей (Т) и комнатной (Т0) температурах;
∆T = Т – Т0 – разность температур;
T* – интервал удвоения обратного тока (для германия T* ≈ 80С; для кремния T* ≈ 100С).
Прямой ток p - n -перехода при нагреве растет не так сильно, как обратный. Это объясняется тем, что прямой ток возникает, главным образом, за счет примесной проводимости. А концентрация примесей от температуры практически не зависит.
Для германиевых переходов верхний температурный предел 70 900С. У кремниевых переходов вследствие большой энергии, необходимой для отрыва валентного электрона от ядра атома, этот предел более высок – от 1200С до 1500С.
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 296 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. | | | Частотные свойства p-n-перехода. |