Читайте также:
|
При обратном включении внешнее электрическое поле совпадает с полем p - n - перехода. Потенциальный барьер между p - и n -областью возрастает. Количество основных носителей, способных преодолеть действие результирующего поля, уменьшается. Соответственно уменьшается и ток диффузии основных носителей заряда. Под действием внешнего электрического поля основные носители будут оттягиваться от приконтактных слоев в глубь полупроводника. В результате ширина перехода увеличивается.
При обратном включении преобладающую роль играет дрейфовый ток, который имеет небольшую величину. Он создается движением неосновных носителей. Этот ток получил название обратного тока
Iобр= Iдр– Iдиф.
Величина обратного тока практически не зависит от внешнего обратного напряжения. Это объясняется тем, что в единицу времени количество генерируемых пар электрон-дырка при неизменной температуре остается постоянным.
Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 78 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Свойства p-n-перехода при наличии внешнего напряжения. | | | Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. |