Диэлектрики ионного строения аморфные и кристаллические с неплотной упаковкой решетки ионами

Рис. 2.14. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости в диэлектрика с плотной упаковкой решетки — корунда (а) и с неплотной упаковкой решетки — элек­тротехнического фарфора (б). Образующие е: 1 — а_э(7); 2 — а_н(7); 3 — п(Г); 4 — а_ир(7)

а б

З-Колесов

Диэлектрическая проницаемость таких диэлектриков (например, электротехнический фарфор, неорганические стекла, асбест) зави­сит от температуры и частоты напряжения вследствие проявления ионной и, главным образом, ионно-релаксационной поляризаций (см. рис. 2.14, б). Величина е у них изменяется в пределах примерно от 4 до 20 и выше, т. е. мало отличается от е диэлектриков с плотной упаковкой решетки. У этих диэлектриков ТКе положительный и в отличие от ТКе диэлектриков ионного строения с плотной упаков­кой решетки имеет высокие значения. Увеличение диэлектрической проницаемости при нагревании происходит преимущественно за счет роста концентрации ионов, принимающих участие в ионно-ре-
лаксационной поляризации. Зависимость диэлектрической прони­цаемости от частоты напряжения примерно такая же, как у диэлек­триков молекулярного строения полярных (см. рис. 2.13, а). При низких частотах в формировании е принимают участие три вида по­ляризации: электронная, ионная и ионно-релаксационная. При вы­соких частотах (при ~10⁶— Ю¹⁰ Гц и выше) из-за малого времени по­лупериода напряжения оц становится исчезающе малой, поэтому величину е определяют только поляризуемости а_э и а_и. С увеличени­ем размера иона и его валентности наибольшая частота напряжения, при которой проявляется а^, понижается.

Дата добавления: 2015-08-09