Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Зависимость электропроводности диэлектриков, концентрации носителей зарядов и их подвижности от температуры

Читайте также:
  1. Борьба евреев за «финансовую независимость» от Рима. Разрушение храма
  2. Взаимозависимость
  3. ВЗАИМОЗАВИСИМОСТЬ
  4. Влияние концентрации
  5. Влияние температуры
  6. Влияние температуры на физические и теплофизические свойства пород и флюидов
  7. Война за независимость

В слабых электрических полях выполняется закон Ома, и плот­ность тока сквозной проводимости, или плотность тока j (J = //S, А/м2), прямо пропорциональна напряженности поля:

j = yE. (3.5)

Формулу (3.5) можно получить, если в уравнение I = U/R подста­вить значения U = Eh и R = (рh)/S = h/(yS).

В свою очередь, удельная объемная электропроводность у, См/м, определяется концентрацией заряженных частиц п, м~3, величиной их заряда q, Кл, и подвижностью а [м2/(В с)]:

у = nqa. (3.6)

Подвижность носителя заряда а — отношение его дрейфовой скорости V к напряженности электрического поля Е, вызывающе­го эту скорость, т. е. а = V/E [(м/с)/(В/м)] = м2/(В с). Подвижность электронов вследствие их малой массы в тысячи раз выше, чем у ионов.

В слабых полях для воздуха при нормальных условиях подвижность отрицательных ионов я_=1,8710~4 м2/(Вс), положительных ионов — а+ = 1,37-Ю-4 м2/(Вс). Подвижность электронов я = 3700-10~4 м2/(Вс). В жидких диэлектриках при 1,18 К а_ = 710~6 м2/(В с), а+ = 9-10~6 м2/(В с). В твердых диэлектриках подвижность ионов еще ниже. Например, в алюмо- силикатной керамике она составляет лишь 10~13—Ю-16 м2/(В с), а у электро­нов ~ Ю-4 м2/(В с). Формула (3.6) не связана с природой носителя заряда, поэтому является общей для всех возможных видов электропроводности (для диэлектриков, полупроводников и проводников).

Несмотря на то что подвижность электронов в диэлектриках бо­лее чем на несколько десятичных порядка выше, чем подвижность ионов, электропроводность в диэлектриках носит ионный характер, поскольку для образования свободных ионов (например, при диссо­циации [см. ниже] ионогенной примеси) требуется существенно меньшая энергия, чем для образования свободных электронов. На­пример, в кристалле NaCl для перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости требуется энергия A1V= 6 эВ, а для отрыва иона Na+ из решетки NaCl необходима энергия, равная энергии дис­социации Wmc = 0,85 эВ. Поэтому в диэлектриках из-за существенно более высокой концентрации свободных ионов (а не электронов) ионная электропроводность является доминирующей, определяю­щей. При этом электропроводность обусловливается предпочтитель­но ионами одновалентными, небольших размеров.


С повышением температуры концентрация п свободных ионов возрастает экспоненциально:
п = л0ехр(-ЖдисД7),

где щ — общее число ионов в 1 м3; Wmc — энергия диссоциации, эВ; кТ— тепловая энергия {к — постоянная Больцмана {к = 8,617-10~5 эВ/К; Т — температура, К).

(3.8)

Подвижность а ионов в диэлектрике с увеличением температуры экспоненциально возрастает. Объясняется это тем, что в соответст­вии с «прыжковым» механизмом электропроводности дрейфовая подвижность ионов осуществляется путем их перескока с ловушки на ловушку, разделенных потенциальным барьером fVnep. Ловушками называют области локализации свободных носителей заряда, кото­рыми могут быть как электрически заряженные, так и нейтральные дефекты. «Прилипая» к ловушкам, носители заряда находятся на них тем дольше, чем выше потенциальный барьер fVnep Поэтому транс­порт носителей заряда осуществляется по мелким ловушкам, т. е. по ловушкам с низкими значениями Wnep. Вероятность тепловых пере­бросов носителей заряда (например, ионов) с ловушки на ловушку пропорциональна ехр(— WnQp/kT). Следовательно, с увеличением тем­пературы подвижность а свободных ионов растет экспоненциально:

а = ос0ехр(— W^p! к Т),

где а0 — максимальная подвижность иона; fVnep — энергия переме­щения иона с ловушки на ловушку (энергия перехода иона из одного равновесного положения в другое).

(3.7)

Подвижность ионов зависит от их размера и величины заряда: чем меньше размер и величина заряда иона, тем выше его подвиж­ность.

(3.9)

Подставив значения п и а в формулу (3.6) и объединив постоян­ные q, п0 и а0 одним коэффициентом А (полагая, что они зависят от температуры), получим

у = А exp(—fV/kT),

где W — энергия, необходимая для образования и дрейфа иона

{W= Ждис+ ^пер).

С увеличением температуры удельная электропроводность воз­растает (рис. 3.4) в результате увеличения как концентрации п, так и подвижности а свободных ионов. При этом в случае жидких ди-

у, См/м

 


 

Рис. 3.4. Зависимость удельной электропроводно­сти у жидких полярных (/) и неполярных (2) ди­электриков от температуры Т

электриков доминирующим является увеличение подвижности а свободных ионов, а в случае твердых диэлектриков — увеличение концентрации п свободных ионов. Из рис. 3.4 также видно, что элек­тропроводность полярных диэлектриков больше, чем неполярных, и при нагревании возрастает более интенсивно.

3.1.4. ТКр диэлектриков

Важной характеристикой электрических свойств диэлектриков является температурный коэффициент удельного сопротивления ТКр (или ар), К-1:

ТКр = (1/р)(фД/7). (3.10)

Для заданного интервала температур определяют средний темпе­ратурный коэффициент удельного сопротивления ТКр, К-1:

ТКр = (1/P,)(P2 - Р,)/(Т2 - Тх). (3.11)

Комплексная удельная электропроводность

Удельная электропроводность диэлектрика при переменном токе может

быть выражена в комплексной форме

у = у'+уу", (ЗЛ2>

где у' — действительная часть, соответствующая активной удельной электро­проводности и совпадающей по фазе с напряжением у' = уа = U/R = coe08tg5 (см. гл. 4.2), где U — амплитудное значение напряжения; у" — мнимая часть — отражает реактивный компонент удельной электропроводности, опережающей напряжение по фазе на л/2, у" = уг= U/xc = Uu£= сое^, где хс — реактивная составляющая сопротивления (см. гл. 4.2);у — мнимая еди­ница, (у = V-L).

Особенности электропроводности газообразных, жидких и твер­дых диэлектриков в зависимости от их природы, напряженности электрического поля и температуры рассматриваются ниже.

3.2. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ГАЗООБРАЗНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ

Электропроводность газообразных диэлектриков (например, воз­духа) обусловлена наличием в них заряженных частиц — ионов и электронов. В зависимости от причин, вызывающих ионизацию мо­лекул газа, различают электропроводность несамостоятельную и са­мостоятельную.

Ионизация — это процесс, когда под действием ионизирующего излучения (рентгеновских, космических или солнечных лучей, ра­диоактивного облучения и т. п.) или сильного электрического поля молекула газа теряет электрон и превращается в положительный ион. Высвобождаемый электрон может «прилипнуть» к нейтральной молекуле, образуя отрицательный ион. При этом суммарный поло­жительный заряд равен суммарному отрицательному заряду.

Несамостоятельная электропроводность осуществляется за счет ионов и электронов, образующихся в результате ионизации, вызван­ной внешним энергетическим воздействием, таким, как космиче­ские и солнечные лучи, радиоактивное излучение Земли и т. п. При нормальных условиях в 1 см3 воздуха содержится 2,7-1019 молекул. В результате воздействия космических лучей и радиоактивного излу­чения Земли (электрическое поле отсутствует) в 1 см3 воздуха обра­зуется 600—1000 пар ионов и электронов.

Самостоятельная электропроводность обусловлена ионами и элек­тронами, образующимися в сильных электрических полях (при Е>ЕКр) в результате электронной ударной ионизации, фотоиониза­ции и эмиссии электронов из катода (будет рассмотрена в гл. 5). Де­ление электрических полей на сильные и слабые условно.

Поля, вызывающие ионизацию газов, считают сильными, а не вызы­вающие ионизацию — слабыми. Напряженность, разделяющую слабые и сильные поля, называют критической напряженностью Екр_

ионизация

молекула g " ион+ + е.

рекомбинация

Одновременно с процессом ионизации протекает обратный про­цесс — рекомбинация, когда разноименные заряды (например, поло­жительный ион и электрон) образуют нейтральную молекулу. Реком­бинация препятствует безграничному росту концентрации ионов и электронов. Между процессами ионизации и рекомбинации устанав­ливается равновесие, которое может быть смещено в ту или иную сторону путем изменения интенсивности внешнего энергетического воздействия или напряженности приложенного электрического поля (в области сильных полей).


Дата добавления: 2015-08-09; просмотров: 227 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Жидкие и твердые диэлектрики молекулярного строения неполярные | Жидкие и твердые диэлектрики молекулярного строения полярные | Диэлектрики ионного строения аморфные и кристаллические с неплотной упаковкой решетки ионами | Полярные полимеры | Ионная проводимость | Зависимость jи уот Ев широком интервале | Электропроводность твердых диэлектриков ионного строения | Поверхностная электропроводность твердых диэлектриков | Электропроводность полимерных диэлектриков | ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Токи смещения, абсорбции и сквозной проводимости| Зависимость j от Е в широком интервале

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.008 сек.)