Читайте также:
|
В ЭЗЭ динамических ОЗУ информация хранится в виде заряда на конденсаторе. При этом для отождествления напряжения на конденсаторе со значением лог. 0 или лог. 1 оно должно иметь уровни, расположенные в определенном диапазоне. Следует отметить, что любой, даже самый совершенный, конденсатор обладает собственным саморазрядом. Кроме этого, для обеспечения режимов заряда-разряда к конденсатору необходимо подключить дополнительные цепи, сопротивление которых хотя и может быть достаточно большим, но всегда имеет некоторую конечную величину. Вследствие этого заряженный до определённого уровня конденсатор через некоторое время теряет свой заряд и напряжение на нем выходит из зоны отображения исходной логической константы.
Использование памяти такого типа технически оправдано только в случае, когда время хранения информации существенно больше времени, необходимого для ее восстановления. Последнее требует увеличения приведенного сопротивления саморазряда конденсатора, под которым понимается некоторое эквивалентное сопротивление, включенное параллельно конденсатору и учитывающее как собственный саморазряд конденсатора, так и разряд по внешним цепям.
Желание увеличить это сопротивление привело к использованию в ЭЗЭ динамических ОЗУ только полевых транзисторов.
Казалось бы, увеличить время хранения информации в таких ОЗУ можно за счет увеличения емкости конденсатора. Однако, во-первых, при неизменных параметрах цепей заряда-разряда такое решение не изменяет время хранения информации и, во-вторых, требует увеличения площади конденсатора. Последнее применительно к полупроводниковой технологии ведет к уменьшению числа конденсаторов, которые можно разместить на кристалле заданной площади, то есть к уменьшению объема хранимой в ИС информации. Следовательно, этот способ не совместим с полупроводниковой технологией.
Как следует из принципа работы, особенностью динамических ОЗУ является необходимость периодического восстановления (регенерации) заряда на конденсаторах. Для этого информация с ЭЗЭ
периодически считывается и затем повторно записывается с восстановлением требуемого уровня напряжения. В реально выпускаемых ОЗУ регенерация заряда конденсаторов ЭЗЭ выполняется через каждые 1...2 мс, что соответствует частоте регенерации 0,5...1 кГц.
По сравнению со статическими динамические ОЗУ обладают меньшим быстродействием, но они существенно проще, дешевле и обеспечивают очень высокую степень интеграции, то есть предполагают разработку ИС с большим объемом хранимой информации. В настоящее время разработаны ИС динамических ОЗУ с организацией 1024М×1 и более.
Дата добавления: 2015-08-10; просмотров: 138 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Увеличение числа хранимых слов ЗУ | | | ССЫЛКИ В ИНТЕРНЕТЕ |