Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности

Читайте также:
  1. Cписок международных организаций
  2. G. ТРАНСГРАНИЧНОЕ УПРАВЛЕНИЕ - Международное сотрудничество; 1 млн. долл. США; 2-10 лет
  3. Gt;>> Как я уже говорил. Путь Дзэн-гитары требует, чтобы наша музыка создавала контакты вне нас самих. Но в чем смысл этих контактов? Этот смысл — в единении.
  4. II. ПРИМЕРНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ ДОЛЖНОСТНЫХ ЛИЦ ПУБЛИЧНЫХ МЕЖДУНАРОДНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ
  5. II. ПРИЧИНЫ МЕЖДУНАРОДНОЙ МИГРАЦИИ КАПИТАЛА.
  6. IV. Основной конфликт в области идей и приоритетных ценностей между США и Москвой
  7. Oslash; 1.3. Принципы обмена данными между Windows-программами

 

Контакт полупроводников с одним типом электропро­водности, но с разной концентрацией примесей обознача­ют р+-р или п+-п (знаком "плюс" отмечается полупро­водник с большей концентрацией примесей). В таких кон­тактах носители из области с большей концентрацией при­меси переходят в область с меньшей концентрацией. При этом в области с повышенной концентрацией нарушается компенсация зарядов ионизированных атомов примеси, а в другой области создается избыток основных носителей зарядов. Образование этих зарядов приводит к появлению на переходе собственного электрического поля и кон­тактной разности потенциалов, определяемой следующи­ми соотношениями: для p+-р перехода

;

для n+-n перехода .

Переходы типа p+-p и n+-n возникают при изготовле­нии омических контактов к полупроводникам.

Энергетическая диаграмма p-i перехода.

 

Промежуточное поло­жение между p+-p- или n+-n- и p-n переходом занимают p-i и n-i переходы. Такие переходы обра­зуются между двумя плас­тинами, одна из которых имеет электронную или ды­рочную электропроводность, а другая - собственную.

.

 


Дата добавления: 2015-08-13; просмотров: 65 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Прямое включение p-n перехода | Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода | Реальная вольтамперная характеристика p-n перехода | Емкости p-n перехода |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Гетеропереходы| Явления на поверхности полупроводника

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)