Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Емкости p-n перехода

Читайте также:
  1. II. РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ТРУДОЕМКОСТИ ПО РАЗДЕЛАМ, ТЕМАМ ДИСЦИПЛИНЫ И ВИДАМ УЧЕБНОЙ РАБОТЫ
  2. VII. ЭТАПЫ ГЛОБАЛЬНОГО ПЕРЕХОДА.
  3. А писать Новейшую Библию каждый день необходимо для перевода человечества во время Квантового перехода. Чтоб ТЫ, Леонид, тогда делал, кабы был САМ МНОЙ?
  4. Акционирование в процессе перехода России к рыночной экономике
  5. Алгоритм перехода на новую технологию
  6. Важность перехода ко сну
  7. Введение. Значение и сила перехода

 

Изменение внешнего напряжения dU на p-n переходе приводит к изменению накопленного в нем заряда dQ. По­этому p-n переход ведет себя подобно конденсатору, ем­кость которого С = dQ/ dU.

В зависимости от физической природы изменяющегося заряда различают емкости барьерную (зарядную) и диф­фузионную.

Барьерная (зарядная) емкость определяется измене­нием нескомпенсированного заряда ионов при изменении ширины запирающего слоя под воздействием внешнего обратного напряжения. Поэтому идеальный электронно-дырочный переход можно рассматривать как плоский кон­денсатор, емкость которого определяется соотношением

,

где П, d - соответственно площадь и толщина p-n перехода.

.

В общем случае зависимость зарядной емкости от при­ложенного к p-n переходу обратного напряжения выра­жается формулой

,

где C0 — емкость p-n перехода при UОБР = 0; g - коэффици­ент, зависящий от типа p-n перехода (для резких p-n переходов g = 1/2, а для плавных g = 1/3).

Барьерная емкость увеличивается с ростом NА и NД, а также с уменьшением обратного напряжения.

Рассмотрим диффузионную емкость. При увеличении внешнего напряжения, приложенного к p-n переходу в прямом направлении, растет концентрация инжектирован­ных носителей вблизи границ перехода, что приводит к изменению количества заря­да, обусловленного неосновны­ми носителями в p- и n-областях. Это можно рассмат­ривать как проявление неко­торой емкости. Поскольку она зависит от изменения диффузионной составляю­щей тока, ее называют диф­фузионной. Диффузионная емкость представляет собой отношение приращения инжекционного заряда dQинж к вызвавшему его изменению напряжения dUпр, т. е. .

 

а) б)

Рисунок Зависимость барьерной (а) и диффузионной (б) емкостей p-n перехода от напряжения.

 

.

Тогда диффузионная емкость, обусловленная изменением общего заряда неравновесных дырок в n-области, опреде­лится по формуле

.

Аналогично для диффузионной емкости, обусловленной инжекцией электронов в p-область,

.

 

 

Общая диффузионная емкость

.

 

Полная емкость p-n перехода определяется сум­мой зарядной и диффузи­онной емкостей:

.

При включении p-n перехода в прямом направ­лении преобладает диффу­зионная емкость, а при включении в обратном на­правлении - зарядная.

 

 


Дата добавления: 2015-08-13; просмотров: 87 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Прямое включение p-n перехода | Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода | Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности | Явления на поверхности полупроводника |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Реальная вольтамперная характеристика p-n перехода| Гетеропереходы

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)