Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Гетеропереходы

 

Гетеропереход образуется двумя полупроводниками, различающимися шириной запрещенной зоны. Параметры кристаллических решеток полупроводников, составляющих гетеропереход, должны быть близки, что ограничивает выбор материалов.

В настоящее время наиболее исследо­ванными являются пары: германий-арсенид галлия, арсенид галлия-мышьяковидный индий, германий-кремний. Различают n-p и p-n гетеропереходы (на первое место ставится буква, обозначающая тип электропроводности полупроводника с более узкой запрещенной зоной). На основе гетеропереходов возможно также создание струк­тур n-n и p-p.

Упрощенная энергетическая диаграмма p-n гетероперехода в равновесном состоянии.

 

При контакте полупровод­ников происходит перераспределение носителей зарядов, приводящее к выравниванию уровней Ферми p- и n-областей и возникновению энергетического барьера для элек­тронов n-области q×Ukn и. для дырок p-области q×Uкp, при­чем Uкn > Uкp.

 

Упрощенная энергетическая диаграмма p-n гетероперехода, включенного в прямом состоянии.

 

В состоянии равновесия ток через n-p переход равен нулю. Поскольку потенциальные барьеры для дырок и электронов различны, при приложении к гете­ропереходу прямого напряжения смещения он обеспечит эффективную инжекцию дырок из полупроводника с боль­шей шириной запрещенной зоны

 


Дата добавления: 2015-08-13; просмотров: 69 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Прямое включение p-n перехода | Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода | Реальная вольтамперная характеристика p-n перехода | Явления на поверхности полупроводника |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Емкости p-n перехода| Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)