Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода

Читайте также:
  1. A. Характеристика природных условий и компонентов окружающей среды.
  2. I теоретическая часть.
  3. I. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
  4. I.6.1. Общая характеристика информационного обеспечения деятельности прокуратуры.
  5. II) Теоретическая часть
  6. II. ЛЕ БОН И ЕГО ХАРАКТЕРИСТИКА МАССОВОЙ ДУШИ
  7. II.2. Историческая или теоретическая?

 

Вольтамперная характеристика представляет собой график зависимости тока во внешней цепи p-n перехода от значения и полярности напряжения, прикладываемого к нему.

Уравнения для плотности электронной и дырочной составляющих прямого тока получаются в следующем виде:

; .

 

Плотность прямого тока, проходящего через p-n переход, можно определить как сумму jпр = jn диф + jp диф, не изменяющуюся при изменении координаты х. Если счи­тать, что в запирающем слое отсутствуют генерация и ре­комбинация носителей зарядов, то плотность прямого тока, определяемая на границах p-n перехода (при x = 0),

.

Включение p-n перехода в обратном направлении при­водит к обеднению приконтактной области неосновными носителями и появлению градиента их концентрации. Гра­диент концентрации является причиной возникновения диффузионного тока неосновных носителей.

Выражение для расчета плотности обратного тока может быть записано в виде

.

Можно записать уравнение для плотности тока в общем виде:

, где .

 

js называют плотностью тока насыщения. Уравнение теоретической вольтамперной характеристики:

,

где IS- ток насыщения. В это уравнение напряжение U подставляется со знаком "плюс" при включении p-n перехода в прямом направлении и со знаком "минус" при об­ратном включении.

Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода, построенная на основании уравнения при­ведена на рис. При увеличении

Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода.

 

обратного напряже­ния ток через p-n переход стремится к предельному зна­чению js, которого достигает при обратном напряжении примерно 0,1...0,2 В.

Считая, что все атомы примесей ионизированы, т. е. = Na, для области рабочих температур можно записать:

 

 

,

где d0 - толщина запирающего слоя.

Для германия ni = 2,5×1013 см-3 (DW = 0,67 эВ) и Iген= 0,1×Is, а для кремния ni = 6,8×1010 см-3 (DW = 1,12 эВ) и Iген = 3000×IS,.

 


Дата добавления: 2015-08-13; просмотров: 57 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Емкости p-n перехода | Гетеропереходы | Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности | Явления на поверхности полупроводника |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Прямое включение p-n перехода| Реальная вольтамперная характеристика p-n перехода

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.006 сек.)