Прямое включение p-n перехода

Если положительный полюс источника питания подклю­чается к р-области, а отрицательный полюс - к n-области, то включение p-n перехода называют прямым. При изме­нении указанной полярности источника питания включе­ние p-n перехода называют обратным.

.

Концентрации неосновных носителей на границах p-n перехода могут быть рассчита­ны

; (*)

. (**)

Из выражений (*) и (**) следует, что на границах p-n перехода под действием прямого напряжения U_пр про­исходит увеличение концентраций неосновных носителей.

Закон распределения для неосновных носителей может быть получен путем решения уравнения неразрывности:

; (3*) ; (4*)

где - диффузионная длина дырок в n-области; - диффузионная длина электронов в p-области.

Решения уравнений непрерывности для нейтральной области полупроводников (начало отсчета координаты совпадает с границами p-n перехода) при оче­видных из рис начальных условиях и с учетом соотно­шений (*) и (**) имеют вид:

; (5*)

. (6*)

Таким образом, на границе запирающего слоя (x = 0) за счет инжекции концентрация носителей повышается и достигает следующих значений:

; .

Уравнения (5*) и (6*) показывают, что в неравно­весном состоянии при удалении от p-n перехода концен­трации неосновных носителей зарядов вследствие реком­бинации убывают по экспоненциальному закону от значе­ний и до и .

Прямое включение p-n перехода.

Дата добавления: 2015-08-13