Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Прямое включение p-n перехода

Читайте также:
  1. C. Прямое Божественное Правление
  2. VII. ЭТАПЫ ГЛОБАЛЬНОГО ПЕРЕХОДА.
  3. А писать Новейшую Библию каждый день необходимо для перевода человечества во время Квантового перехода. Чтоб ТЫ, Леонид, тогда делал, кабы был САМ МНОЙ?
  4. Автоматическое повторное включение.
  5. Акционирование в процессе перехода России к рыночной экономике
  6. Алгоритм перехода на новую технологию
  7. Важность перехода ко сну

 

Если положительный полюс источника питания подклю­чается к р-области, а отрицательный полюс - к n-области, то включение p-n перехода называют прямым. При изме­нении указанной полярности источника питания включе­ние p-n перехода называют обратным.

.

 

Концентрации неосновных носителей на границах p-n перехода могут быть рассчита­ны

; (*)

. (**)

Из выражений (*) и (**) следует, что на границах p-n перехода под действием прямого напряжения Uпр про­исходит увеличение концентраций неосновных носителей.

 

Закон распределения для неосновных носителей может быть получен путем решения уравнения неразрывности:

; (3*) ; (4*)

где - диффузионная длина дырок в n-области; - диффузионная длина электронов в p-области.

Решения уравнений непрерывности для нейтральной области полупроводников (начало отсчета координаты совпадает с границами p-n перехода) при оче­видных из рис начальных условиях и с учетом соотно­шений (*) и (**) имеют вид:

; (5*)

. (6*)

Таким образом, на границе запирающего слоя (x = 0) за счет инжекции концентрация носителей повышается и достигает следующих значений:

; .

 

Уравнения (5*) и (6*) показывают, что в неравно­весном состоянии при удалении от p-n перехода концен­трации неосновных носителей зарядов вследствие реком­бинации убывают по экспоненциальному закону от значе­ний и до и .

 

 

Прямое включение p-n перехода.

 

 


Дата добавления: 2015-08-13; просмотров: 81 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Реальная вольтамперная характеристика p-n перехода | Емкости p-n перехода | Гетеропереходы | Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности | Явления на поверхности полупроводника |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
ЗАКЛЮЧЕНИЕ| Теоретическая вольтамперная характеристика p-n перехода

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)