Перенос изображения в системе

ФОТОШАБЛОН – ФОТОРЕЗИСТ

Основным процессом фотолитографии является фор­мирование топологии схемы пленкой фоторезиста и даль­нейший перенос изображения на подложку методами травления, электрохимической обработки и т. д. В на­стоящей главе рассматриваются основные проблемы контактного экспонирования, целью которого является высокоточное воспро­изведение пленкой фоторезиста конфигурации элементов схемы, зарождающихся в фоторезисте в процессе экспо­нирования и формирующихся при удалении облученных или необлученных участков (проявлении). При переносе изображения необходима точность расположения элемен­тов на поверхности пластины при совмещении топологи­ческих слоев схем. Кроме того, необходимо, чтобы ко­личество возникших при этих процессах дефектов в плен­ке фоторезиста было минимальным. Высокоточное вос­произведение элементов рисунка пленкой фоторезиста определяется как максимально возможное приближение к геометрическим размерам соответствующих элементов на фотошаблоне, т. е. должно соблюдаться условие

А – В = b ® 0,

где А – геометрические размеры элементов на фото­шаблоне, В – геометрические размеры элементов, фор­мируемых пленкой фоторезиста, b – отклонение геоме­трических размеров элементов.

Зарождение и размещение элементов схемы в пленке фоторезиста и последующее их получение при прояв­лении зависит от целого ряда факторов, из которых наи­более важное значение имеют:

· свойства фотошаблона: оптическая плотность темных и светлых участков, коэффициент преломления стекла и коэффициент отражения поверхности маскирующего слоя, геометрические размеры элементов, резкость и ров­ность края элементов;

· фототехнические, спектральные и оптические параме­тры фоторезистов: светочувствительность, контрастность, область спектрального поглощения, коэффициент пре­ломления, способность к рассеиванию света, разрешаю­щая способность;

· физико-химические свойства пленок фоторезистов: адгезия, однородность покрытия, внутренние напряже­ния, толщина покрытия, отношение к проявителю;

· свойства подложки: плоскостность, коэффициенты отражения, поглощения, преломления, диэлектрические свойства; наличие зазора в системе фотошаблон – фоторезист;

· параметры осветителей: мощность и спектральный состав излучения, параллельность светового потока;

· оптические явления в системе фотошаблон – фоторе­зист – подложка: дифракция, отражение, интерферен­ция;

· физико-химические и химические параметры прояви­теля;

· режимы операций удаления остатков проявителя и сушки после проявления;

· точность проведенного совмещения.

Дата добавления: 2015-07-26