Основные определения

Актиничное излучение – световое излучение, воздействующее на фоторезист, вызывающее протекание фотохимических реакций и изменение растворимости облученных участков покрытия.

Топологический слой – часть топологии структуры, воспро­изведенная на одном фотошаблоне, необходимом для проведения технологических операций, одинаковых для всех изображенных на этом фотошаблоне элементов.

Заготовка для фотошаблона – стеклянная прозрачная для актиничного излучения плоскопараллельная пластина определенных размеров с нанесенным на ее поверхность сплошным непрозрачным для актиничного излучения слоем.

Фотошаблон – стеклянная или иная пластина либо полимерная пленка со сформированным на ее поверхности рисунком элементов схем из материала, не пропускающего актиничное излучение.

Негативный фотошаблон (темнопольный) – фотошаблон, на котором изображение элементов схемы представлено в виде светлых участков на непрозрачном фоне.

Позитивный фотошаблон (светлопольный) – фотошаблон, на котором изображение элементов схемы представлено в виде непрозрачных для актиничного излучения участков на светлом прозрачном фоне.

Металлизированный фотошаблон – фотошаблон, на котором изображение элементов схемы сформировано тонкой металлической пленкой.

Транспарентный (цветной) фотошаблон – фотошаблон, на котором изображение элементов схем сформировано покрытием, не пропускающим актиничное излучение и пропускающим неактиничное (видимая область спектра) для фоторезиста излучение.

Эмульсионный фотошаблон – фотошаблон, на котором изображение элементов схемы образовано галоидо-серебряной фотографической эмульсией.

Эталонный фотошаблон – фотошаблон, предназначенный для последующего изготовления рабочих фотошаблонов.

Рабочий фотошаблон – фотошаблон, предназначенный непосред­с­твенно для процесса совмещения и экспонирования. Является зеркаль­ным по отношению к рисунку реальных элементов микросхемы.

Комплект рабочих фотошаблонов – группа совмещающихся между собой фотошаблонов, предназначенных для проведения операций фотолитографии.

Совмещение – процесс расположения рисунков элементов схемы на фотошаблоне точно над соответствующими элементами схемы на подложке, покрытой фоторезистом.

Фигура совмещения – специальный топологический рисунок для обеспечения совмещения изображения элементов схемы рабочего фотошаблона с изображением элементов схемы на пластине.

Подложка – металлическая, полупроводниковая или диэлектри-ческая пластина, монолитная или слоистая, на которую наносят фоторезист.

Фоторезист – светочувствительный материал, изменяющий свои свойства (прежде всего растворимость) под воздействием актинич­ного света.

Электронорезист – материал, изменяющий свои свойства (прежде всего растворимость) под воздействием ускоренных свободных электронов.

Рентгенорезист – материал, изменяющий свои свойства (прежде всего растворимость) под действием рентгеновских лучей.

Ионорезист – фоторезист, электронорезист, рентгенорезист, обладающий малой скоростью распыления в ионном или плазмохимическом разряде по отношению к удаляемым этими способами материалам подложки.

Фотолитография – процесс формирования на поверхности подложки элементов микросхем с помощью чувствительных к излучениям покрытий, способных воспроизводить заданное взаимное расположение и конфигурацию этих элементов.

Контактная маска – рельефное покрытие из пленки фоторезиста или другого материала, воспроизводящее заданные элементы рисунка и обеспечивающее защиту заданных участков подложки от последующего воздействия.

Свободная маска – тонкий, изготовляемый и существующий отдельно от подложки экран с отверстиями, конфигурация и расположение которых соответствуют заданной конфигурации и расположению элементов микросхем.

Метод свободной маски – метод получения элементов микросхем, заключающийся в экранировании с помощью свободной маски участков подложки от потока частиц напыляемого вещества.

Метод селективного травления – метод получения элементов микросхем, заключающийся в экранировании с помощью контактной маски участков подложки от удаляющего (травящего) воздействия.

Экспонирование – облучение актиничным излучением пленки фоторезиста, сформированной на подложке, через фотошаблон или с помощью управляемого луча.

Проявление фоторезиста – обработка экспонированной пленки фоторезиста с целью удаления облученных или необлученных участков для создания рельефного изображения.

Рельефное изображение, рельеф из фоторезиста – изображение элементов схем, сформированное пленкой фоторезиста после проявления.

Травление химическое – удаление материала подложки с участков, не защищенных контактной маской, с применением химических процессов в растворах, парах и газах.

Дефект фотошаблона – непредусмотренное отклонение числа, размеров и конфигурации элементов рисунка модуля от заданных значений.

Дефект пленки фоторезиста – непредусмотренные отверстия и посторонние включения, искажающие число, размеры и конфигурацию элементов рельефного изображения.

Прокол – непредусмотренное сквозное отверстие в непрозрачном покрытии фотошаблона или в пленке фоторезиста.

Точка (дефект) – непредусмотренный непрозрачный участок на прозрачном поле модуля фотошаблона или участок фоторезиста на пробельном поле модуля.

Плотность дефектов – число дефектов, отнесенное к единице площади. Размерность: мм^-2, см^-2.

Разрешающая способность – минимальный размер элемента, получаемый при применении данной системы воспроизведения изображения; выражается либо минимальным размером элемента, либо количеством линий на определенной длине.

Селективность травления – различие между скоростями удаления (травления) разных материалов при химическом, электрохимическом или физическом воздействии.

Экспозиция (Н) – доза актиничной световой энергии, падающая на пленку фоторезиста в процессе экспонирования (Н = Е × t).

Пороговая экспозиция (H _пор) – минимальнаядозасветовой энергии, вызывающая изменение свойств пленки фоторезиста на всю толщину.

Интенсивность облучения – энергия светового потока, падающего на поверхность фоторезиста в единицу времени (Вт/см²).

Светочувствительность фоторезиста – способность реаги-ровать под действием света (S = 1/ H = 1 / (Е × t)).

Спектральная светочувствительность – величина свето­чувствительности при воздействии света определенной длины волны.

Интегральная светочувствительность фоторезиста – свето­чувствительность при воздействии света всех длин волн, поглощаемых фоторезистом.

Кислотоустойчивость пленки фоторезиста – способность пленок фоторезистов селективно защищать поверхность подложки от воздействия травителей. Оценивается временем воздействия травителя до начала разрушения или отслаивания и качеством вытравленных структур.

Клин проявления – угол наклона границы рельефного изображения по отношению к плоскости подложки.

Клин травления – угол наклона границы вытравленного элемента по отношению к плоскости подложки.

Дата добавления: 2015-07-26