Читайте также:
|
|
Рассмотрим конкретную схему ГВВ, выполненную на биполярном транзисторе, включенном по схеме с ОЭ, и цепью согласования на основе резонансных контуров. Для упрощения анализа сделаем следующие допущения: Будем считать
1. транзистор безинерционном;
2. влияние паразитных параметров транзистора на работу ГВВ пренебрежимо малое;
3. входное сопротивление ЦС на основной рабочей частоте чисто активной величиной, равной , а входное сопротивление ЦС на гармониках рабочей частоты равное нулю;
4. источник возбуждающего сигнала источником напряжения вида
Наиболее полно указанным допущениям соответствует схема ГВВ в виде резонансного усилителя
При указанных допущениях напряжения на входе и выходе транзистора примут вид
Подставив выражения для и в основное уравнение АЭ и выполнив преобразования, получим
при
при
при
В этом уравнении
- напряжение отсечки для проходной характеристики, снятой при ек=Ек.
Полученная система уравнений показывает изменение коллекторного тока во времени в области отсечки, активной зоне и зоне насыщения и получила название основного уравнения генератора. Первая часть этого уравнения, соответствующая области отсечки, обычно опускается как тривиальная.
Дата добавления: 2015-07-24; просмотров: 108 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Аппроксимация | | | Динамические характеристики ГВВ |