Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Пример расчета

Читайте также:
  1. II. Большие инновационные циклы: пример России и сравнение с другими странами
  2. III. Примерный перечень вопросов для
  3. SWOТ- анализ страны на примере Казахстана
  4. Vi. Некоторые методические примеры экономического обоснования проектируемых мероприятий
  5. VII. Примерная последовательность разработки и реализации программ педагогического сопровождения семьи в общеобразовательном учреждении
  6. А сколько - таких же фантастических примеров принципиальности правоохранительных органов (кроме смоленских)?
  7. А1. Пример задания для курсового проектирования

Рассмотрим пример для функции, заданной в виде f = {2, 4, 6} a, b, c.

1) Составляем таблицу истинности для данной функции. Заполняем столбцы аргументов a, b, c числовыми значениями в порядке возрастания номеров наборов в двоичном коде. Поскольку в чис­ловом выражении функции присутствуют только номера сочетаний, соответствующие единичным значениям функции, то это позволяет проставить логические единицы для наборов 2, 4 и 6, а логические нули – для сочетаний 0, 1, 3, 5 и 7 (табл. 14).

2) Для записи СДНФ из таблицы истинности выбираем те строки, в которых значение функции равно единице. Для каждой такой строки составляем конъюнкцию всех входных
переменных, записывая сомножитель, если эта переменная принимает значение единицы. Записываем логическую сумму всех найденных произведений и приходим к выражению вида:

. (47)

Для записи СКНФ из таблицы истинности выбираем строки, в которых значение функции равно нулю, инвертируем аргументы и получаем:

. (48)

3) Учитывая законы алгебры логики, упрощаем выражение СДНФ функции. Используем распределительный закон для суммы произведений, выносим за скобки общие множители:

. (49)

Применяя правило отрицания, согласно которому сумма прямого и инверсного значения переменной a в скобках равна единице, запишем функцию в виде:

. (50)

Для дальнейших преобразований используем распределительный закон для произведения сумм логических переменных:

. (51)

И окончательно, применяя правило отрицания для суммы прямого и инверсного значений переменной b, записываем выражение:

. (52)

4) Составляем карту Карно для функции f. Поскольку имеется три аргумента (a, b, c), то карта содержит 23 = 8 клеток. Обозначаем координаты a, b, c карты, проставляем единицы в клетки, соответствующие 2, 4 и 6 наборам (используем выражение СДНФ, полученное ранее), во все остальные клетки записываем нули (рис. 20, а).

5) Минимизация функции, заданной в виде координатной карты, предполагает склеивание четного количества (2, 4 и 8) находящихся рядом единиц для получения МДНФ, причем чем больше единиц будет объединено, тем более компактную алгебраическую запись будет иметь функция.

Объединяемые единицы выделяем графически на карте, как показано на рис. 20, б. Полученные произведения аргументов записываем в виде слагаемых МДНФ с последующим вынесением за скобки общего множителя:

. (53)

а б

Рис. 20. Карты Карно: а – заполнение исходной карты;

б – минимизация карты

 

6) Реализуем полученную функцию на логических элементах базисов И-ИЛИ-НЕ (рис. 21, а), ИЛИ-НЕ (рис. 21, б) и И-НЕ (рис. 21, в), используя известные способы реализации основных логических функций (табл. 15).

а б

в

Рис. 21. Реализация функции f (a, b, c) в различных базисах

ПРИЛОЖЕНИЕ 1

ВАРИАНТЫ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ РАБОТЫ

 

Вариант Id н , А Ud н, В k п вых Вариант Id н , А Ud н, В k п вых
      0,003       0,006
      0,009       0,004
  3,8   0,005       0,013
      0,004       0,003
  4,2   0,005       0,003
      0,006       0,008
      0,004       0,001
  4,5   0,008       0,008
      0,009       0,002
      0,013       0,011
  8,5   0,005       0,002
      0,003       0,003
  1,5   0,003       0,070
      0,003       0,006
      0,008       0,001
      0,005       0,004
      0,008       0,011
      0,005       0,003
      0,010       0,009
  1,5   0,006       0,002
      0,002       0,007
      0,005       0,003
  0,6   0,006       0,004
  1,8   0,008       0,010
      0,010       0,001
      0,003       0,007
      0,008       0,005
      0,007       0,004
      0,010       0,006
  1,5   0,003       0,004
      0,010       0,013
      0,001       0,004
      0,003       0,005
      0,007       0,001
      0,003       0,010
      0,010       0,004
      0,005       0,013
      0,010       0,003
      0,004       0,001
      0,006       0,011
        0,005       0,005  
                                 

 

      0,012       0,006
      0,007       0,002
      0,002       0,012
      0,008       0,002
      0,001       0,013
      0,009       0,002
      0,003       0,010
      0,013       0,002
      0,005       0,003

ПРИЛОЖЕНИЕ 2

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ВЕНТИЛЕЙ

Тип вентиля I а н, А U обр доп, В U а , , В I обр, мА
2Д201 А,Г   100-200    
2Д201 Б,В   100-200    
Д202 0,4     0,5
Д204 0,4     0,5
Д206 0,1     0,1
Д208 0,1     0,1
Д210 0,1     0,1
Д211 0,1     0,1
Д214        
Д214А        
Д214Б        
Д215        
Д215А        
Д215Б        
Д217 0,1   0,7 0,05
Д218 0,1   0,7 0,05
Д221 0,4     0,5
Д222 0,4     0,5
Д226 0,3     0,03
Д226Д 0,3     0,1
Д226Е 0,3     0,1
Д229 0,4     0,05
Д229А 0,4     0,05
Д232        
Д232А        
Д232Б     1,5  
Д233        
Д233Б     1,5  
Д246Б     1,5  
Д1010 0,3     0,1
ВК2-10   100 – 1000 0,5  
ВК2-25   100 – 1000 0,5  
ВК2-50   100 – 1000 0,5  
ВК2-100   100 – 1000 0,5  
ВК2-200   100 – 1000 0,5  
ВК2В-350   100 – 1000 0,5  
В4-160   100 – 600 0,85  
ВВЛ-0,4 0,4 3000 – 6000 1,7 1,4
ВВЛ-0,6 0,6 3000 – 6000 1,8 1,4
ВВЛ-0,8 0,8 3000 – 6000 1,9 1,4
ВВЛ-1   3000 – 6000   1,4

 

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 3

 

ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

 

Рис. П.3.1. Входные характеристики биполярных транзисторов МП39, МП39Б, МП41, МП41А, МП42А в схеме с ОЭ

 

Рис. П.3.2. Выходные характеристики транзистора МП39 в схеме с ОЭ

 

 

Рис. П.3.3. Выходные характеристики биполярных транзисторов

МП39Б, МП41 в схеме с ОЭ

Рис. П.3.4. Выходные характеристики транзистора МП41А в схеме с ОЭ

Рис. П.3.5. Выходные характеристики транзистора МП42А в схеме с ОЭ


Рис. П.3.6. Входные характеристики транзисторов МП111 и МП113

в схеме с ОЭ

 

Рис. П.3.7. Выходные

характеристики транзистора

МП111 в схеме с ОЭ


Рис. П.3.8. Выходные

характеристики транзистора

МП113 в схеме с ОЭ

 

Рис. П.3.9. Входная характеристика транзистора П401 в схеме с ОЭ


Рис. П.3.10. Выходные

характеристики

транзистора П401 в схеме с ОЭ

Рис. П.3.11. Входные

характеристики транзисторов

МП25 и МП36А в схеме с ОЭ


 

Рис. П.3.12. Выходные характеристики транзистора МП25 в схеме с ОЭ

 

Рис. П.3.13. Выходные характеристики транзистора МП36А в схеме с ОЭ

 


Библиографический список

 

1. Общая электротехника / Под ред. А. Т. Б л а ж к и н а. Л.: Энергоатомиздат, 1986. 592 с.

2. Электротехника / Под ред. В. Г. Г е р а с и м о в а. М.: Высшая школа, 1985. 480 с.

3. Основы промышленной электроники / Под ред. В. Г. Г е р а с и м о в а. М.: Высшая школа, 1986. 336 с.

4. Т и т ц е У. Полупроводниковая схемотехника / У. Т и т ц е, К. Ш е н к. М.: Мир, 1982. 512 с.

5. В и н о г р а д о в Ю. В. Основы электронной и полупроводниковой техники / Ю. В. В и н о г р а д о в. М.: Энергия, 1972. 536 с.

6. К а г а н о в И. Л. Промышленная электроника / И. Л. К а г а н о в. М.: Высшая школа, 1968. 559 с.

7. Л а ч и н В. И. Электроника / В. И. Л а ч и н, Н. С. С а в ё л о в. Ростов-на-Дону: Феникс, 2002. 576 с.

 


Учебное издание

 

ХАРЛАМОВ Виктор Васильевич, СЕРГЕЕВ Роман Владимирович,

ШКОДУН Павел Константинович

 

 

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К САМОСТОЯТЕЛЬНЫМ ЗАНЯТИЯМ

ПО КУРСУ ЭЛЕКТРОНИКИ

 

 

–––––––––––––––––––––

 

Редактор Н. А. Майорова

 

 

* * *

 

Подписано в печать __.10.2007. Формат 60 ´ 84 .

Плоская печать. Бумага офсетная. Усл. печ. л. 2,8. Уч.-изд. л. 3,0.

Тираж 250 экз. Заказ.

 

 

* *

 

 

Редакционно-издательский отдел ОмГУПСа

Типография ОмГУПСа

 

 

*

 

644046, г. Омск, пр. Маркса, 35

 


Дата добавления: 2015-07-17; просмотров: 269 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: Краткие теоретические сведения | Методические указания | Пример расчета | Методические указания |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Краткие теоретические сведения| ТИП МАСТЕРИТ ТЫКВОГОЛОВОГО

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.025 сек.)