Читайте также:
|
2.2.1. Записать параметры заданного транзистора, изобразить схему усилительного каскада (см. рис. 15) и объяснить назначение каждого элемента схемы.
2.2.2. Перечертить входную характеристику I б = f (U бэ) при U кэ = – 5 В и семейство выходных вольт-амперных характеристик I к = f (U кэ) при I б = const, на которых по нескольким точкам построить кривую допустимой мощности P к = I к U к= P доп, рассеиваемой транзистором (рис. 16). Ниже этой кривой из точки U кэ = E к, выбрав наиболее подходящий угол наклона, провести нагрузочную линию U кэ = E к – I к(R к+ R э), на которой выбрать и отметить положение рабочей точки покоя Рт в режиме класса А и допустимые при этом пределы изменения амплитуды базового тока ± Im б, соответствующие максимальному значению входного сигнала. Положение рабочей точки на входной характеристике должно соответствовать значению тока I б0, при котором выбрана рабочая точка на пересечении линии нагрузки и выходной характеристики.
2.2.3. На графиках выходных и входной характеристик изобразить (подобно рис. 16) кривые i к = I к0 + Im кsin(w t), u кэ = U кэ0 + Um кэsin(w t), i б = I б0 + Im бsin(w t).
По графикам определить и записать значения: I б0; ± Im б = ±0,5 (I б max– – I б min); I к0; ± Im к= ±0,5 (I к max– I к min); I э0 = I б0 +I к0; U бэ0; ± Um бэ= ± Um вх; U кэ0; ± Um кэ= ± Um вых= ±0,5(U кэ max– U кэ min).
2.2.4. Рассчитать значения h э-параметров для схемы с общим эмиттером:
| h 11э= h 11б/ (1+ h 21б); (23) h 12э= (h 11б h 22б– h 12б h 21б– h 12б) / (1+ h 21б); (24) |
| h 21э= – h 21б / (1+ h 21б); (25) h 22э= h 22б / (1+ h 21б). (26) |
Для схемы включения транзистора с общим эмиттером определить входное сопротивление транзистора r вх транз = h 11э и коэффициент передачи тока
b = h 21э.
а
б
Рис. 16. Определение рабочего режима транзистора по входной характеристике (а) и по семейству выходных характеристик (б)
2.2.5. Рассчитать значения сопротивлений резисторов и емкостей конденсаторов:
R э= (0,2,…,0,3) E к / I э0. (27)
Задавшись значением сопротивления R 1= (2,…,5) r вх транз, определить
I дел= (I э0 R э + U бэ0) / R 1; (28)
R 2 = (E к – I дел R 1) / (I дел + I б0); (29)
R к = (E к – U кэ0– I э0 R э) / I к0, (30)
или принять I дел= (2,…,5) I б0 и найти
R 1= (I э0 R э + U бэ0) / I дел; (31)
R 2 = (E к – I дел R 1) / (I дел + I б0); (32)
R к = (E к – U кэ0– I э0 R э) / I к0. (33)
Эквивалентное сопротивление базовой цепи для переменной состав-ляющей входного тока
R б = R 1 R 2 / (R 1+ R 2). (34)
Значения емкости конденсаторов при частотной полосе входного сигнала в пределах f н = 100 Гц, f в = 10000 Гц определяются так:
C э= 107 / [(1,…,2)2p f н R э]; (35)
C р1= C р2= 107 / [(1,…,2)2p f н R каск вх], (36)
где C э, C р1 и C р2 – в мкФ.
2.2.6.Определить параметры усилительного каскада.
Входное и выходное сопротивления каскада определяются следующим образом:
R каск вх = R б r вх транз / (R б + r вх транз); (37)
R каск вых= R к / (1 + h 22э R к). (38)
Коэффициенты усиления каскада без дополнительной внешней нагрузки, а также без учета внутреннего сопротивления источника входного сигнала имеют вид:
KI = I вых / I вх» b; (39)
KU = – (bR к) / R каск вх; (40)
KP = KIKU. (41)
Полезная выходная мощность каскада
P вых = 0,5 (Um вых)2 / R к. (42)
Полная мощность, расходуемая источником питания,
P 0 = I э0 E к + I 2дел×(R 1 + R 2) + I 2б0 R 2. (43)
Электрический КПД усилительного каскада
h э = (P вых / P 0) 100%. (44)
Коэффициент нестабильности каскада по коллекторному току (желательно, чтобы он был меньше)
S = b / (1+ bg) или S» 1+ R б / R э, (45)
S» (R б + R э) / [(1+ h 21б) R б + R э], (46)
где g = R э / (R б + R э).
3. СИНТЕЗ ЛОГИЧЕСКИХ СХЕМ
Цель работы: изучить принципы функционирования логических элементов, научиться минимизировать логические функции алгебраическим методом и с помощью карт Карно, а также реализовывать цифровые комбинационные схемы в различных базисах.
Дата добавления: 2015-07-17; просмотров: 98 | Нарушение авторских прав
| <== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
| Пример расчета | | | Краткие теоретические сведения |