Читайте также:
|
|
Завдання на розрахункову роботу
Варіант 3 л
Студент групи РВ-11 Іваницький А.А.
Провести розрахунок надійності електричної схеми з урахуванням коефіцієнтів електричного навантаження елементів схеми (Сх6), які потрібно розрахувати виходячи з електричних режимів і номіналів, що вказані на схемі, при U=10,5 В, умов експлуатації Ke=2, робочій температурі Т=50°С, та показників інтенсивності умов елементів.
Рис. 1. Схема Сх6
Викладач: д.т.н., проф. Зіньковський Ю.Ф.
Зміст
1. Розрахунок струмів, напруг та потужностей…………………………….3
2. Аналіз характеристик схеми та підбір коефіцієнтів……………………..5
а) резистори, інтенсивність відмов
б) конденсатори, інтенсивність відмов
в) діоди, інтенсивність відмов
г) транзистори, інтенсивність відмов
3. Отримані результати……………………………………………………......6
4. Розрахунок повної інтенсивності відмов і середній час безвідмовної роботи схеми……………………………………………………………………………….7
5. Література…………………………………………………………………….8
Розрахунок струмів, напруг та потужностей.
Проведемо розрахунок електричного режиму по постійному струму цієї схеми за допомогою програми Micro-Cap 9 для визначення коефіцієнтів навантаження. Отримуємо наступні значення напруг і струмів та потужностей на елементах схеми:
Рис. 2. Напруги на елементах схеми
Рис.2 Стуми, що проходять через елементи
Рис.3. Потужності
Аналіз характеристик схеми та відбір коефіцієнтів
а) Приймемо всі резистори постійними недротяними. Розрахуємо значення Кн за формулою Кн=Рр/Рдоп ( -допустима потужність для моїх резисторів).
Розрахуємо інтенсивність відмов резисторів за формулою λр=λ˳К1Ке
Зсилаючись на літературу [1], підберемо відповідні коефіцієнти та занесемо данні у Таблицю 1. А також зсилючись на літературу [1] Рис. 1.1 визначимо К1.
б) конденсатори С2,С4,С11,С12 – керамічні, всі інші – електролітичні алюмінієві.
Розрахуємо значення Кн за формулою Кн=U/Uдоп (для керамічних 50в, для електричних допустима напруга вказана на схемі). Розрахуємо інтенсивність відмов конденсаторів за формулою λр=λ˳К1КеК2
Зсилаючись на літературу [1], підберемо відповідні коефіцієнти та занесемо данні у Таблицю 1. А також зсилючись на літературу [1] Рис. 1.9, Рис 1.11 визначимо К1.
в) в схемі маємо діод Д2Б (при розрахунках був застосований його аналог D203x)
Розрахуємо значення Кн за формулою Кн=I/Iдоп.
Розрахуємо інтенсивність відмови діода за формулою λр=λ˳К1Ке
Зсилаючись на літературу [1], підберемо відповідні коефіцієнти та занесемо данні у Таблицю 1. А також зсилючись на літературу [1] Рис. 1.13 визначимо К1.
г) в схемі маємо транзистори p-n-p типа МП40 (при розрахунках був застосований його аналог 2N104). МП40-транзистори малої потужності,тому для них використовуються формули:
де Кн к–е, Кн к–б, Кнск – коефіцієнти навантаження транзистора напругами колектор–емітер, колектор–база, емітер–база і струмом колектора; Uk–e р, Uk–б р, Ue–б р – робочі значення напруги колектор–емітер, колектор–база, емітер–база; Ік Р – значення робочого струму колектора; Uk–е доп, Uk–б доп, Ue–б доп і ік доп – допустимі значення. З цих коефіцієнтів обираємо максимальний і визачаємо К1 зсилаючись на літературу [1] Рис. 1.16. Розрахуємо інтенсивність відмови транзисторів іода за формулою та занесемо данні у Таблицю 1. λр=λ˳К1Ке.
Дата добавления: 2015-10-28; просмотров: 183 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Совместная работа над документом Google Disk. | | | Особливості обробки деформівних алюмінієвих бронз |