Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

В полупроводниках типа A3B5 с ростом поля наблюдается эффект дрейфовой нелинейности. Он был открыт Ганном в арсениде галлия и назван эффектом Ганна.

Однако, в результате межзонной тепловой генерации появляются в донорном полупроводнике — дырки, (в акцепторном полупроводнике — электроны), это неосновные носители,. | Вместе возникновением носителей заряда происходит процесс рекомбинации. Динамическое равновесие приводит к установлению равновесной концентрации носителей. | Процесс генерации носителей характеризуют скоростью генерации g , g– число носителей, возникающих в единицу времени в единице объема. | ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ТВЕРДЫХ ТЕЛ | Рассмотрение зависимости подвижности носителей заряда от температуры проведем отдельно для области высоких и низких температур. | Для невырожденного газа | В области высоких температур u и ơ электронов обратно пропорциональны Т. | СОБСТВЕННАЯ И ПРИМЕСНАЯ ПРОВОДИМОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | Германия и кремния | Где ơп0 — коэффициент, слабо зависящий от температуры. Логарифмируя , находим |


Читайте также:
  1. D Smiley, спецэффект
  2. DIVE SYSTEM: SOLO MG МАКСИМАЛЬНЫЙ КОМФОРТ И ЭФФЕКТИВНОСТЬ
  3. I день. Открытие Олимпийских игр.
  4. I Мышцы спины (названия, функциональная характеристика).
  5. III Мышцы живота (названия, функциональная характеристика).
  6. III. Воспроизводство и эффективность использования ОФ
  7. IV О ЦЕРЕМОНИИ ОТКРЫТИЯ ЗАВЕСЫ

На ряс. 7.11, а показана энергетическая структура зоны проводимости арсенида галлия с двумя минимумами; второй минимум располагается выше первого на расстоянии 0,36 эВ. В нормальных условиях электроны зоны проводимости размещаются в первом минимуме и обладают подвижностью 0,5 В/м2-с. При приложении к кристаллу внешнего поля электроны приобретают дрейфовую скорость и электроны при энергии (достаточной для перехода в верхний минимум) переходят вверх, где значительно меньшая подвижностью ≈ 0,01 В/м2-с). Такой переход сопровождается резким уменьшением скорости дрейфа.

В импульсном режиме генераторы Ганна работа на частотах свыше 150 ГГц и более, обеспечивая на частотах сантиметрового диапазона мощности до нескольких киловатт в импульсном и нескольких ватт в непрерывном режиме при к.п.д. до 30%.

Термоэлектронная ионизация Френкеля. Электрическое поле, созданное в полупроводнике, действуя на электрон, связанный с атомом примеси, понижает потенциальный барьер, удерживающий его около атома. Это приводит к увеличению вероятности перехода электрона в зону проводимости и росту концентрации свободных электронов в полупроводнике в области низких температур. Теория этогф явления, получившего название термоэлектронной ионизации, была развита Я. И. Френкелем.

Ударная ионизация. При разогреве электронного газа в сильном электрическом поле электроны зоны проводимости могут приобрести энергию, достаточную для переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости. Концентрация свободных носителей заряда лавинно возрастает. Такой механизм размножения свободных носителей называют ударной ионизацией.

Электростатическая ионизация. В полях высокой напряженности возможен переход электронов из валентной зоны в зону проводимости также путем туннельного просачивания через запрещенную зону называется эффектом Зинера (электростатической ионизацией).

ЯВЛЕНИЕ СВЕРХПРОВОДИМОСТИ В МЕТАЛЛАХ

Рис. 7.12. Скачкообразное изменение сопротивления проводников при переходе в сверхпроводящее состояние

Сущность сверхпроводимости состоит в приобретении веществом идеальной проводимости. Из чистых металлов лучшими сверхпроводниками оказались наиболее высокоомные — свинец, ниобий, олово, ртуть и др. Свойства веществ при низких температурах начинают использовать в радиоэлектронике. Возникшая на этой базе новая область называется криоэлектроникой.


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 96 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
В полулогарифмическом масштабе график – прямая линия По наклону этой прямой можно определить ширину запрещенной зоны Еg.| К криоэлектронным приборам относят криотронные переключатели, генераторы, усилители, резонаторы, преобразователи частоты, фильтры, линии задержки, и другие приборы.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.005 сек.)