Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АрхитектураБиологияГеографияДругоеИностранные языки
ИнформатикаИсторияКультураЛитератураМатематика
МедицинаМеханикаОбразованиеОхрана трудаПедагогика
ПолитикаПравоПрограммированиеПсихологияРелигия
СоциологияСпортСтроительствоФизикаФилософия
ФинансыХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника

Полупроводниковые диоды. Их основные параметры и характеристики.

Катушки индуктивности. Основные параметры и характеристики. | Интегрирующие цепи. Переходная характеристика. | Интегрирующие цепи. Амплитудно-частотная характеристика. | Дифференцирующие цепи. Переходная характеристика. | Включение в цепь RC постоянного напряжения. | Электронно-дырочный переход и его свойства. | Свойства p-n-перехода при наличии внешнего напряжения. | Обратное включение p-n перехода | Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. | Температурные свойства p-n-перехода. |


Читайте также:
  1. I. . Психология как наука. Объект, предмет и основные методы и психологии. Основные задачи психологической науки на современном этапе.
  2. I. Основные положения по организации практики
  3. I. Основные фонды торгового предприятия.
  4. I.2. Основные задачи на период с 2006 по 2020 годы
  5. I.Основные законы химии.
  6. II. .1. Параметры выбранного башенного крана МБТК-80
  7. II. Место педагогики в системе наук о человеке. Предмет и основные задачи педагогики

Полупроводниковым диодом называется прибор с дв умя выводами, принцип действия которого основан на использовании контактных явлений в полупроводниках.

По функциональному назначению диоды делят на выпрямительные, универсальные, импульсные, смесительные, детекторные, модуляторные, переключающие, умножительные, стабилитроны (опорные), туннельные, параметрические, фотодиоды, светодиоды, магнитодиоды, диоды Ганна и т. д.

Большинство полупроводниковых диодов выполняют на основе несимметричных p - n - переходов.

Обычно полупроводниковый диод представляет собой p-n- переход, установленный в корпус.

Область с электропроводностью p-типа имеет более высокую концентрацию примесей, чем основная пластина высокоомного полупроводникового материала и поэтому называется эмиттером.

Область с меньшей концентрацией называется базой.

Условное графическое обозначение по ГОСТ 2.730.

 


Дата добавления: 2015-07-25; просмотров: 55 | Нарушение авторских прав


<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Частотные свойства p-n-перехода.| Переходная характеристика импульсного диода на 1-м участке.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.004 сек.)