Технические характеристики установки

Размер минимального элемента, нм
Время экспонирования области 100х100мм, мин
Размер поля экспонирования, мм	215х215
Совмещаемость комплекта шаблонов, нм
Неровность края элементов топологии, нм
Дискретность адресной сетки, нм	2,5
Потребляемая мощность, не более, кВт

Многоканальный лазерный генератор изображений ЭМ-5289 относится к новому поколению лазерных генераторов для изготовления фотошаблонов. Он спроектирован для реализации современных требования производителей фотошаблонов технологического уровня 90 нм. Эти требования заключаются в повышении точности записи, увеличении плотности данных и снижении размера минимального элемента. Точность генератора ЭМ-5289 сравнима с точностью электронно-лучевых генераторов, поэтому, учитывая традиционные преимущества лазерных генераторов изображений, ЭМ-5389 идеально соответствует требованиям высокопроизводительного производства фотошаблонов. Высокая производительность, достигаемая при оптической обработке резиста, максимально сокращает время от ввода данных до изготовления фотошаблона. Система совмещения генератора дает возможность печатать многослойные фазосдвигающие фотошаблоны и изготавливать фо-тошаблоны в двухпроходном режиме.

Оптико-механическое устройство генератора – оптический проекционный канал, датчик совмещения, осветитель, координатный стол с интерферометрической системой, механизм автофокусировки с датчиком автофокусировки – размещены на гранитном вибропоглощающем основании. Оптический проекционный канал в виде оптического блока установлен на верхней поверхности гранитного основания, а объектив помещен в полость стекло-керами-

ческой (ситалловой) плиты, служащей базой для объектива, датчика автофокусировки и интерферометров системы координат.

Дифракционным элементом луч лазера разделяется на 32 луча равной интенсивности, которые затем преобразуются в 32 параллельных пучка с линейной

поляризацией. Принцип формирования изображений изображен на рисунке:

3. ПЕРЕЧЕНЬ ФОТОРЕЗИСТОВ.

Фоторезист — полимерный светочувствительный материал. Наносится на обрабатываемый материал в процессе фотолитографии или фотогравировки с целью получить соответствующее фотошаблону расположение окон для доступа травящих или иных веществ к поверхности обрабатываемого материала.

Экспонирование производится в ультрафиолетовом диапазоне спектра (фотолитография), электронным лучом (электронно-лучевая литография) или мягким рентгеновским излучением (рентгеновская литография). Воздействие либо разрушает полимер (позитивный фоторезист), или, наоборот, вызывает его полимеризацию и понижает его растворимость в специальном растворителе (негативный фоторезист).

Типичные фоторезисты (для работы с дальним ультрафиолетом):

Позитивные – сенсибилизированные полиметакрилаты и арилсульфоэфиры, использующие фенольные смолы.

Негативные - галогенированные полистиролы, диазиды с феноло-формальдегидными смолами.

Для регистрации электронных, рентгеновских и ионных потоков используются:

Позитивные – производные полимекрилатов, полиалкиленкетонов и др.

Негативные - полимеры производных метакрилата, бутадиена и др.

Дата добавления: 2015-10-13