Однотактный усилитель постоянного тока

Рис. 1. Схема простейшего однотактного усилителя постоянного тока: Т — транзистор; R — нагрузочный резистор; Rэ — резистор в цепи эмиттера; Д — стабилитрон; Uвх — напряжение на входе; Uвых — напряжение на выходе; Е — напряжение источника электропитания.

Ответ 23

Гибридные ИМ реализуют на специально разработанных элементах, совместимых с плоской подложкой тонкопленочной микросхемы

(транзисторы с балочными и шариковыми выводами); распространена установка транзисторов в керамические фасонные корпуса с четырьмя металлизированными участками, которые связаны с выводами транзистора тонкими проволоками. Недостаток специальной формы - невозможность перекрещивания проводов

Достоинства гибридных микросхем:

-возможность предварительного выбора дискретных элементов,

-низкую стоимость подложек и возможность применения значительно больших номиналов тонкоплёночных конденсаторов и мощных резисторов.

Недостатком является дополнительные контактные площадки для монтажа дискретных элементов или полупроводниковых ИМ, которые можно выполнить по тонкоплёночной технологии.

Полупроводниковые микросхемы изготавливают из особо чистых полупроводниковых материалов (обычно кремний, германий), в которых перестраивают саму решётку кристаллов так, что отдельные области кристалла становятся элементами сложной схемы. Маленькая пластинка из кристаллического материала размерами ~1 мм2 превращается в сложнейший электронный прибор, эквивалентный радиотехническому блоку из 50-100 и более обычных деталей. Он способен усиливать или генерировать сигналы и выполнять многие другие радиотехнические функции. Микросхемы имеют высокую надёжность за счёт использования планарного процесса изготовления и значительного сокращения числа микросоединений элементов в процессе создания схем.
Полупроводниковые микросхемы развиваются в направлении всё большей концентрации элементов в одном и том же объёме полупроводникового кристалла, т. е. в направлении повышения степени интеграции микросхемы Самая сложная полупроводниковая микросхема – микропроцессор может содержать сотни миллионов или даже миллиарды транзисторов, соединенных тончайшими медными проводами. Каждый транзистор действует как переключатель, контролируя потоки электричества через микросхему, позволяя отправлять, принимать и обрабатывать информацию за доли секунды

Наибольшее усиление по мощности обеспечивает включение транзистора

по схеме ОЭ. Это включение считается основным. При нем в каскаде имеет

место не только наибольшее усиление по мощности, но и, как правило,

существенные усиления по току и напряжению, приближающиеся к

максимально достижимым. Поэтому на использование схемы 0Э

ориентируются в первую очередь.

Транзисторы подразделяют на два основных класса: биполярные и полевые.

Биполярным транзистором называют полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими электрическими переходами и тремя (или более) выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Имеется две разновидности биполярных транзисторов: без дрейфовые (диффузионные) и дрейфовые - они отличаются принципом работы.

Определение h-параметров по характеристикам

Значения коэффициентов в уравнении для h-параметров имеют следующий вид:

- входное сопротивление при коротком замыкании на выходе;

- выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи;

- коэффициент обратной связи при холостом ходе во входной цепи;

- коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе.

Эквивалентная схема четырехполюсника с h-параметрами приведена на рисунке 5.24а, б. Из этой схемы легко увидеть, что режим короткого замыкания на выходе или холостого хода на входе позволяет измерить тот или иной h-параметр.

Рис. 5.24. Эквивалентная схема четырехполюсника:
а) биполярный транзистор в схеме с общей базой; б) биполярный транзистор в схеме с общим эмиттером

Рассмотрим связь h-параметров биполярного транзистора в схеме с общей базой с дифференциальными параметрами. Для этого воспользуемся эквивалентной схемой биполярного транзистора на низких частотах, показанной на рисунке 5.24а, а также выражениями для вольт-амперных характеристик транзистора в активном режиме. Получаем:

Дата добавления: 2015-09-07