Читайте также: |
|
Рис. 3. Выходные статические характеристики (a) и статические характеристики передачи (b) МДП-транзистора со встроенным каналом.
В связи с наличием встроенного канала в таком МДП-транзисторе при нулевом напряжении на затворе (см. рис. 2, б) поперечное сечение и проводимость канала будут изменяться при изменении напряжения на затворе как отрицательной, так и положительной полярности. Таким образом, МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в двух режимах: в режиме обогащения и в режиме обеднения канала носителями заряда. Эта особенность МДП-транзисторов со встроенным каналом отражается и на смещении выходных статических характеристик при изменении напряжения на затворе и его полярности (рис. 3).
Статические характеристики передачи (рис. 3, b) выходят из точки на оси абсцисс, соответствующей напряжению отсечки UЗИотс, то есть напряжению между затвором и истоком МДП-транзистора со встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
Формулы расчёта в зависимости от напряжения UЗИ
1. Транзистор закрыт
Пороговое значение напряжения МДП транзистора
2. Параболический участок.
-удельная крутизна транзистора.
3. Дальнейшее увеличение U3u приводит к переходу на пологий уровень.
— Уравнение Ховстайна
МОП структура - (МОП - Металл - Оксид - полупроводник) наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Название МОП является традиционным названием такой структуры. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл - диэлектрик - полупроводник). Транзисторы на основе МОП-структур, в отличие от биполярных, называются униполярными транзисторами, так как для его работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа.
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми или МОП-транзисторами (в зарубежной литературе MOSFET - metall-oxyde-semiconductor field effect transistor), которые существуют двух типов: n-канальные и p-канальные.
[править] Особенности работы МОП транзисторов
Вольт-амперная характеристика изменения тока стока в зависимости от изменения напряжения на входе.
В униполярных транзисторах управляющим сигналом является разность потенциалов на участке затвор-исток.
При изменении входного напряжения (), изменяется состояние транзистора и
Транзистор закрыт
Крутой участок.
— удельная крутизна транзистора.
Дальнейшее увеличение приводит к переходу на пологий участок.
— Уравнение Ховстайна.
7
Дата добавления: 2015-09-07; просмотров: 140 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
МДП-транзисторы с индуцированным каналом | | | Фотодиод |