МДП-транзисторы со встроенным каналом

Рис. 3. Выходные статические характеристики (a) и статические характеристики передачи (b) МДП-транзистора со встроенным каналом.

В связи с наличием встроенного канала в таком МДП-транзисторе при нулевом напряжении на затворе (см. рис. 2, б) поперечное сечение и проводимость канала будут изменяться при изменении напряжения на затворе как отрицательной, так и положительной полярности. Таким образом, МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в двух режимах: в режиме обогащения и в режиме обеднения канала носителями заряда. Эта особенность МДП-транзисторов со встроенным каналом отражается и на смещении выходных статических характеристик при изменении напряжения на затворе и его полярности (рис. 3).

Статические характеристики передачи (рис. 3, b) выходят из точки на оси абсцисс, соответствующей напряжению отсечки UЗИотс, то есть напряжению между затвором и истоком МДП-транзистора со встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.

Формулы расчёта в зависимости от напряжения UЗИ

1. Транзистор закрыт

Пороговое значение напряжения МДП транзистора

2. Параболический участок.

-удельная крутизна транзистора.

3. Дальнейшее увеличение U3u приводит к переходу на пологий уровень.

— Уравнение Ховстайна

МОП структура - (МОП - Металл - Оксид - полупроводник) наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Название МОП является традиционным названием такой структуры. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл - диэлектрик - полупроводник). Транзисторы на основе МОП-структур, в отличие от биполярных, называются униполярными транзисторами, так как для его работы необходимо наличие носителей заряда только одного типа.

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми или МОП-транзисторами (в зарубежной литературе MOSFET - metall-oxyde-semiconductor field effect transistor), которые существуют двух типов: n-канальные и p-канальные.

[править] Особенности работы МОП транзисторов

Вольт-амперная характеристика изменения тока стока в зависимости от изменения напряжения на входе.

В униполярных транзисторах управляющим сигналом является разность потенциалов на участке затвор-исток.

При изменении входного напряжения (), изменяется состояние транзистора и

Транзистор закрыт

Крутой участок.

— удельная крутизна транзистора.

Дальнейшее увеличение приводит к переходу на пологий участок.

— Уравнение Ховстайна.

7

Дата добавления: 2015-09-07