Читайте также:
|
|
СТЕПЕНЬ ИНТЕГРАЦИИ ИС (К) - показатель, характеризующий сложность интегральной схемы', численно определяется выражением К = IgN, где N - число элементов, входящих в ИС (значение К округляется до ближайшего целого числа в сторону увеличения). Однако чаше пользуются другой оценкой сложности И. с., в соответствии с к-рой различают малые N < 102), средние (N = 102 - 103), большие (N = 103 - 104) и сверхбольшие W = 104) интегральные схемы.
В СССР были предложены следующие названия микросхем в зависимости от степени интеграции (указано количество элементов для цифровых схем):
Малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле.
Средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле.
Большая интегральная схема (БИС) — до 10000 элементов в кристалле.
Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — до 1 миллиона элементов в кристалле.
Ультрабольшая интегральная схема (УБИС) — до 1 миллиарда элементов в кристалле.
Гигабольшая интегральная схема (ГБИС) — более 1 миллиарда элементов в кристалле.
В настоящее время название ГБИС практически не используется (например, последние версии процессоров Pentium 4 содержат пока несколько сотен миллионов транзисторов), и все схемы с числом элементов, превышающим 10000, относят к классу СБИС, считая УБИС его подклассом.
Мур высказал предположение, что число транзисторов на кристалле будет удваиваться каждые 24 месяца. При анализе графика роста производительности запоминающих микросхем им была обнаружена закономерность: появление новых моделей микросхем наблюдалось спустя примерно одинаковые периоды (18—24 мес.) после предшественников, при этом количество транзисторов в них возрастало каждый раз приблизительно вдвое. Гордон Мур пришел к выводу, что при сохранении этой тенденции мощность вычислительных устройств за относительно короткий промежуток времени может вырасти экспоненциально. В 2007 году Мур заявил, что закон, очевидно, скоро перестанет действовать из-за атомарной природы вещества и ограничения скорости света.
33.Закон Мура. Современное состояния производства интегральных схем: степень интеграции, диаметр пластин, проектные нормы.
Дата добавления: 2015-09-06; просмотров: 235 | Нарушение авторских прав
<== предыдущая страница | | | следующая страница ==> |
Основные параметры биполярного транзистора и методика их измерений. | | | Билолярный транзистор с диодом Шоттки. Принцип работы. |