Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Акон Мура. Степень интеграции интегральных микросхем.

Читайте также:
  1. Аналоговые регуляторы на операционных усилителях. Цифровые регуляторы на интегральных микросхемах.
  2. Все выше написанное просто предположение, но предположение с большой степенью своей вероятности даже с точки зрения математической теории вероятности.
  3. Оцените степень эффективности различных каналов воздействия на властные структуры для решения проблем населения ЯНАО
  4. реабилитации и реинтеграции больных наркоманией
  5. Сочетание интеграции и региональзации
  6. Степень подвижности механизма. Осн. принципы оброзования механизмов

СТЕПЕНЬ ИНТЕГРАЦИИ ИС (К) - показатель, характеризующий сложность интегральной схемы', численно определяется выражением К = IgN, где N - число элементов, входящих в ИС (значение К округляется до ближайшего целого числа в сторону увеличения). Однако чаше пользуются другой оценкой сложности И. с., в соответствии с к-рой различают малые N < 102), средние (N = 102 - 103), большие (N = 103 - 104) и сверхбольшие W = 104) интегральные схемы.

В СССР были предложены следующие названия микросхем в зависимости от степени интеграции (указано количество элементов для цифровых схем):

Малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле.

Средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле.

Большая интегральная схема (БИС) — до 10000 элементов в кристалле.

Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — до 1 миллиона элементов в кристалле.

Ультрабольшая интегральная схема (УБИС) — до 1 миллиарда элементов в кристалле.

Гигабольшая интегральная схема (ГБИС) — более 1 миллиарда элементов в кристалле.

В настоящее время название ГБИС практически не используется (например, последние версии процессоров Pentium 4 содержат пока несколько сотен миллионов транзисторов), и все схемы с числом элементов, превышающим 10000, относят к классу СБИС, считая УБИС его подклассом.

Мур высказал предположение, что число транзисторов на кристалле будет удваиваться каждые 24 месяца. При анализе графика роста производительности запоминающих микросхем им была обнаружена закономерность: появление новых моделей микросхем наблюдалось спустя примерно одинаковые периоды (18—24 мес.) после предшественников, при этом количество транзисторов в них возрастало каждый раз приблизительно вдвое. Гордон Мур пришел к выводу, что при сохранении этой тенденции мощность вычислительных устройств за относительно короткий промежуток времени может вырасти экспоненциально. В 2007 году Мур заявил, что закон, очевидно, скоро перестанет действовать из-за атомарной природы вещества и ограничения скорости света.

 

33.Закон Мура. Современное состояния производства интегральных схем: степень интеграции, диаметр пластин, проектные нормы.


Дата добавления: 2015-09-06; просмотров: 235 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: МОП - транзистор. Принцип работы | Устройство и принцип действия | Барьерный режим | Технология) | Полупроводниковые приборы с N - образными характеристиками. | Инжекционный вентиль. Принцип работы. | Модель Эберса - Молла. |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Основные параметры биполярного транзистора и методика их измерений.| Билолярный транзистор с диодом Шоттки. Принцип работы.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.008 сек.)