Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Барьерный режим

Читайте также:
  1. IV. Режим ЗМК
  2. Вибір оптимального режиму роботи і відпочинку.
  3. Виды объектов гражданских правоотношений и их правовой режим
  4. Влажность воздуха.Испаряемость. Облака. Виды атмосф осадков.типы годового режима осадков. Коэфф увлажнения. Особенности распределения атм осадков по террит РБ
  5. Выбор средств и режимов радиографического контроля.
  6. Вывод формулы для определения потенциальной энергии упругой деформации при изгибе бруса в статическом режиме нагружения.

В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или в эмитерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет из себя диод, включенный последовательно с резистором. Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих схему элементов, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, неразборчивостью к параметрам транзисторов.

 

6. Классификация транзисторов.

7. Технологический процесс изготовления биполярного транзистора.

Планарно-эпитаксиальный процесс является наиболее употребительным, хорошо освоенным и используется для изготовления интегральных полупроводниковых микросхем малой и средней степени интеграции. На рис. 2.2.1 приведена последовательность выполнения биполярного транзистора с изоляцией p–n -переходами.

Структура этого транзистора приведена на рис. 2.1.6 и для ее выполнения требуется наибольшее число операций и переходов. Менее сложные элементы (резисторы, емкости и др.) могут создаваться в рамках этого наиболее полного технологического процесса путем исключения для этих элементов каких-либо операций или изменения топологии на фотошаблоне.

Первым этапом технологии является подготовка подложки. Обычно это пластина кремния КДБ 10/0,1 с ориентацией (111). Рабочая поверхность шлифуется, полируется до 14-го класса чистоты, предусматривается

стравливание нарушенного слоя. Чаще пластины с такой подготовкой являются покупными компонентами.

На предприятии-изготовителе ИМС производится очистка и окисление рабочей поверхности, создаваемый оксидный слой имеет толщину порядка 1,0 мкм. Эта операция включена в первый этап техпроцесса.

 

Рис. 2.2.1. Последовательность выполнения ИМС на базе биполярного транзистора (планарно-эпитаксиальная


Дата добавления: 2015-09-06; просмотров: 255 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: МОП - транзистор. Принцип работы | Полупроводниковые приборы с N - образными характеристиками. | Основные параметры биполярного транзистора и методика их измерений. | Акон Мура. Степень интеграции интегральных микросхем. | Билолярный транзистор с диодом Шоттки. Принцип работы. | Инжекционный вентиль. Принцип работы. | Модель Эберса - Молла. |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Устройство и принцип действия| Технология)

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.009 сек.)