Студопедия
Случайная страница | ТОМ-1 | ТОМ-2 | ТОМ-3
АвтомобилиАстрономияБиологияГеографияДом и садДругие языкиДругоеИнформатика
ИсторияКультураЛитератураЛогикаМатематикаМедицинаМеталлургияМеханика
ОбразованиеОхрана трудаПедагогикаПолитикаПравоПсихологияРелигияРиторика
СоциологияСпортСтроительствоТехнологияТуризмФизикаФилософияФинансы
ХимияЧерчениеЭкологияЭкономикаЭлектроника

Билолярный транзистор с диодом Шоттки. Принцип работы.

Читайте также:
  1. I. ОСНОВНЫЕ ПРИНЦИПЫ ПОЛИТИКИ ПЕРЕМЕН
  2. III. Порядок выполнения работы.
  3. Активно воспроизвести принцип и суть построения, структуры, устройства вещи, т.е.
  4. Асинхронные электродвигатели переменного тока. Принцип действия, устройство, передаточная функция, достоинства, недостатки.
  5. б.) Принцип наглядности
  6. Базельские принципы регулирования деятельности КО.

Транзистором Шотки получается соединением диода Шотки с коллекторной областью транзистора.
Достоинства: имеет малую емкость перехода, малый инверсный коэффициент передачи, повышенная частота работы, пониженный уравень помех, большой коэффициентом усиления, отличается быстродействием.
Транзистором Шотки широко применяется в электронике.
Применение: часто применяется в аналоговых усилителях, мощных усилителях,СВЧ усилителях, преобразователях частоты и т.д.

Транзисторы Шоттки отличаются от обычных тем, что они не входят в глубокое насыщение, следовательно, в их базах в открытом состоянии накапливается мало носителей заряда, и в результате время их рассасывания меньше обычного.

Эффект Шоттки снижает напряжение открывания кремниевого p–n перехода от обычных 0,5... 0,7 В до 0,2... 0,3 В и значительно уменьшает время жизни неосновных носителей в полупроводнике. Эффект Шоттки основан на том, что в p–n переходе или рядом с ним присутствует очень тонкий слой металла, богатый элементами, свободный носителями.

Транзистор Шоттки можно представить как обычный транзистор с диодом Шоттки, включенном между его базой и коллектором, как показано на рис. 7.1.1.

Рис. 7.1.1. Транзистор Шоттки, представленный как обычный транзистор с диодом Шоттки, включенном между его базой и коллектором

При открывании транзистора базовый ток нарастает только до значения, лежащего на границе активного режима и области насыщения, а весь избыточный базовый ток отводится через открытый диод Шоттки через коллектор и эмиттер открытого транзистора на землю.

Чем сильнее откроется транзистор, т.е. тем меньше падение напряжения коллектор–эмиттер, тем больший ток отводится через диод Шоттки, минуя базу, на землю. Это приведет к закрыванию транзистора, т.к. уменьшение тока базы закрывает транзистор. Так образуется обратная связь, саморегулирующая режим работы транзистора, удерживая его от глубокого насыщения.

Сами диоды Шоттки имеют очень малые задержки включения и выключения. Накопление заряда в диодах Шоттки не происходит, т.к. протекающий в них ток вызван переносом основных носителей.

Когда транзистор заперт потенциал коллектора выше потенциала базы, а значит диод Шоттки смещен в обратном направлении и не влияет на работу транзистора.

Если в процессе отпирания транзистора потенциал коллектора становится ниже потенциала базы, диод Шоттки открывается и на нем устанавливается прямое напряжение Uпр. Поскольку это напряжение меньше 0,5 В, то коллекторный переход практически заперт, а следовательно, не возникает режима насыщения и связанных с ним двойной инжекции и накопления избыточных зарядов. Благодаря этому при запирании транзистора исключается задержка, вызываемая рассеиванием избыточного заряда.

На рис 7.1.2. показана разность потенциалов между выводами обычного транзистора и транзистора Шоттки, подтверждающая большее напряжение между коллектором и эмиттером транзистора Шоттки в открытом состоянии.

 

Рис. 7.1.2. Разность потенциалов между выводами обычного транзистора и транзистора Шоттки

 


Дата добавления: 2015-09-06; просмотров: 598 | Нарушение авторских прав


Читайте в этой же книге: МОП - транзистор. Принцип работы | Устройство и принцип действия | Барьерный режим | Технология) | Полупроводниковые приборы с N - образными характеристиками. | Основные параметры биполярного транзистора и методика их измерений. | Модель Эберса - Молла. |
<== предыдущая страница | следующая страница ==>
Акон Мура. Степень интеграции интегральных микросхем.| Инжекционный вентиль. Принцип работы.

mybiblioteka.su - 2015-2024 год. (0.007 сек.)